[發明專利]Ni－Mn－Ga磁驅動記憶合金作為光磁混合存儲材料的應用無效
| 申請號： | 200810064311.9 | 申請日： | 2008-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN101252009A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發明（設計）人： | 高智勇;隋解和;蔡偉;談昌龍 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G11B11/105 | 分類號： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人： | 畢志銘 |
| 地址： | 150001黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ni mn ga 驅動 記憶 合金 作為 混合 存儲 材料 應用 | ||
【權利要求書】：
1、一種Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金作為光磁混合存儲材料的應用，其特征在于以所述Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金用作光磁混合存儲材料。
2、根據權利要求1所述的Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金作為光磁混合存儲材料的應用，其特征在于所述的光磁混合存儲材料采用厚度為1mm的p-Si(100)拋光單晶片做襯底，所述襯底上通過射頻磁控濺射設備濺射有一層Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金薄膜。
3、根據權利要求2所述的Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金作為光磁混合存儲材料的應用，其特征在于所述Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金薄膜的厚度為1μm。
4、根據權利要求1所述的Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金作為光磁混合存儲材料的應用，其特征在于所述的Ni-Mn-Ga磁驅動記憶合金是Ni53Mn23.5Ga23.5合金或Ni2MnGa合金。
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