[發明專利]釬焊氮化硅陶瓷的釬料及釬焊氮化硅陶瓷的方法

無效

• 申請號: 200810064249.3
• 申請日: 2008-04-07
• 公開（公告）號: CN101265120A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 張杰;孫元
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C04B37/02
• 分類號: C04B37/02;C22C5/02;B23K35/30
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 韓末洙

1.一種釬焊氮化硅陶瓷的釬料，其特征在于釬焊氮化硅陶瓷的釬料由55～59at.％的Au、34～37at.％的Ni和4～11at.％的V組成。

2.根據權利要求1所述的釬焊氮化硅陶瓷的釬料，其特征在于釬焊氮化硅陶瓷的釬料由58.74at.％的Au、36.5at.％的Ni和4.76at.％的V組成。

3.根據權利要求1所述的釬焊氮化硅陶瓷的釬料，其特征在于釬焊氮化硅陶瓷的釬料由55.51at.％的Au、34.49at.％的Ni和10at.％的V組成。

4.一種釬焊氮化硅陶瓷的方法，其特征在于釬焊氮化硅陶瓷的方法如下：一、將待焊氮化硅陶瓷的表面打磨至光潔度為3～1μm，然后將打磨后的氮化硅陶瓷與按權利要求1配制的釬料一同放入質量百分比濃度為99.5％的丙酮中用超聲波清洗15～25min，然后用氰基丙烯酸乙脂膠將氮化硅陶瓷與釬料按氮化硅陶瓷/釬料/氮化硅陶瓷的形式固定在一起制成坯體；二、在壓力為1.63×10^-3MPa，真空度為1.33×10^-2的條件下將經過步驟一處理的坯體以30K/min的加熱速率加熱到573～673K，并在573～673K的溫度下保溫15～30min；三、將步驟二處理后的坯體以10K/min的加熱速度將坯體加熱到1273～1473K，在1273～1473K溫度下保溫15～90min后，以5K/min的速度冷卻到573K。

5.根據權利要求4所述的釬焊氮化硅陶瓷的方法，其特征在于步驟三中的連接溫度為1274～1323K，保溫時間為16～50min。

6.根據權利要求4所述的釬焊氮化硅陶瓷的方法，其特征在于步驟三中的連接溫度為1324～1373K，保溫時間為16～60min。

7.根據權利要求4所述的釬焊氮化硅陶瓷的方法，其特征在于步驟三中的連接溫度為1374～1472K，保溫時間為30～89min。

8.根據權利要求4所述的釬焊氮化硅陶瓷的方法，其特征在于步驟三中的連接溫度為1423K，保溫時間為60min。