[發明專利]含鈥的釹鐵硼稀土永磁材料及其制造方法

無效

• 申請號: 200810062959.2
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101404196A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 王勝華;魏方允
• 申請（專利權）人: 浙江升華強磁材料有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;C22C1/00
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司
• 代理人: 王鵬舉

技術領域

本發明涉及磁材料技術領域，具體講，本發明涉及添加鈥的釹鐵硼稀土永磁材料及其制造方法。

背景技術

稀土釹鐵硼永磁材料是八十年代初開發的第三代永磁材料，因其具有極強的磁性被俗稱為“永磁王”。可以吸起相當于它自重1000倍的物體，具有優異的磁性特征和節能、節材、環保效果，是其它永磁材料無法比擬的高性能材料。稀土永磁材料作為一種重要的功能性材料，已被廣泛應用于能源、交通、機械、醫療、計算機、家電領域，深入國民經濟的方方面面，其產量及用量已成為衡量一個國家綜合國力與國民經濟發展水平的重要標志之一。稀土永磁釹鐵硼材料是支撐現代電子信息產業的重要基礎材料之一，已廣泛應用于國民經濟的各個領域，和人們的生活息息相關。小到手表、照相機、錄音機、CD機、VCD機，大到汽車、發動機、懸浮列車等，永磁材料無所不在，采用稀土永磁材料可使現有電子產品尺寸進一步縮小，性能大幅度改善，從而適應了當今電子產品輕、薄、小的需求發展趨勢。

目前現有技術當中的稀土釹鐵硼永磁材料大多添加的是稀土元素如釹、鑭、鈰、鐠等稀土元素，尚未見到添加鈥元素的稀土釹鐵硼永磁材料。現有技術主要依靠添加重稀土元素Tb，Dy及Al，Nb，Ga等提高Hcj，如在周壽增等人所著的《超強永磁體》(第2版，262-287頁)中指出高Hcj的磁體的添加成分和添加各成分對與永磁體性能的影響，并未提到Ho的添加。如在書中提及利用Pr替代部分Nd可提高部分Hcj，利用Dy和Tb替代部分Nd也是提高Hcj的有效途徑。其他成分Al，Ga，Si，Sn，Ti，V，Cr，Cu，Nb的合理添加也可起到提高Hcj的作用。而國外NdFeB基本成分專利雖提及Ho的添加，但均未指出Ho的作用及Ho為提高Hcj和降低生產成本的必需成分。如中國專利(專利申請號為：99801229.7)公開的耐熱磁體成分專利也未指出Ho的作用及Ho為必需成分；中國專利(專利申請號為：200510084295.6)公開的稀土成分專利中也未指出Ho的作用及Ho為必需成分。

發明內容

為解決上述的技術問題，本發明的目的是為了提供一種能提高稀土釹鐵硼的Hcj并降低生產成本、含鈥的新型釹鐵硼稀土永磁材料及其制造方法。

為了實現上述的目的，本發明含鈥的釹鐵硼稀土永磁材料，該材料的組成為Re_αHo_βB_γM_xN_yFe_{1-α-β-γ-x-y}，其中：

Re為稀土元素，包括Nd或者Nd和選自La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和Sc中的至少一種元素或一種以上元素；

M為添加元素，包括Co和Cu；

N為添加元素，包括選自Ti、V、Cr、Mn、Ni、Zn、Ga、Ge、Al、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pd、Au、Pb和Bi的一種或一種以上元素；

α、β、γ、x、y為各元素重量百分比含量；

Fe為Fe和不可避免的雜質；

其中，29％≤α≤35％，0.05％≤β≤0.5％，0.95％≤γ≤1.20％，0≤x≤10％，0≤y≤1.50％。

作為優選，所述α值可以為30.05％≤α≤32.90％。

作為優選，所述β值可以為0.05％≤β≤0.15％。

作為優選，所述γ值可以為0.97％≤γ≤1.00％。

作為優選，所述x值可以為1.11％≤x≤9.15％。

作為優選，所述y值可以為0.10％≤y≤1.32％。

作為優選，所述Re包括Nd和Dy；或Nd、Dy、Pr和Tb。

作為優選，所述N包括Ga和Nb；或Ga、Nb和Al。

根據本發明，可以看出：B是形成磁性相所必須的，因此在本發明的永磁材料中至少為0.95％重量，但過量添加會使磁性能惡化。

添加Ho的目的是降低生產成本，提高矯頑力Hcj，合理范圍為0.05～1％重量。

除Dy和Tb稀土元素以外，還含有Nd、Pr、Ce一種或一種以上的稀土元素，會在磁體中形成磁性相和晶界相，維持較高的矯頑力Hcj和剩磁Br。在以上可選元素中優選Pr或Nd，特別是復合添加Nd和Pr到合適的比例可得到充分的剩磁Br，添加的稀土元素中Pr的合理范圍為0％～10％重量。