[發(fā)明專利]一種同時合成SiO₂納米線和SiC晶須的方法無效

申請?zhí)枺?/td>	200810062358.1	申請日：	2008-05-09
公開（公告）號：	CN101319368A	公開（公告）日：	2008-12-10
發(fā)明（設計）人：	陳建軍;王耐艷;王彩華;高林輝;金達萊	申請（專利權）人：	浙江理工大學
主分類號：	C30B29/10	分類號：	C30B29/10;C30B29/36;C30B29/62;C01B33/12;C01B31/36
代理公司：	杭州求是專利事務所有限公司	代理人：	林懷禹
地址：	310018浙江省杭州市江***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種同時合成 sio sub 納米 sic 方法
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【權利要求書】：

1.一種同時合成SiO₂納米線和SiC晶須的方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1)先以正硅酸乙酯和去離子水為原料，正硅酸乙酯與去離子水的體積比為3∶1～1∶1，無水乙醇為溶劑，與正硅酸乙酯和去離子水的總體積比為1∶1～1∶3，鹽酸為催化劑數滴，制備SiO₂溶膠；

2)在溶膠凝膠之前，加入納米活性炭黑粒子，超聲分散，然后陳化凝膠，將凝膠于烘箱中90℃處理，獲得含C的SiO₂干凝膠，SiO₂和C的摩爾比范圍為3∶1至1∶3；

3)將此干凝膠粉碎后放入石墨坩堝中，蓋上拋光的石墨片，放入真空高溫燒結爐，抽真空到1～100Pa，充入氬氣保護，然后升溫到1200～1600℃保溫1～10小時，最后關掉加熱電源，在循環(huán)水冷卻的情況下使爐子自然冷卻至室溫，打開燒結爐取出試樣，發(fā)現坩堝內部生長了許多白色絮狀的產物SiO₂納米線和同時蓋在坩堝上的石墨片表面有一層淡綠色產物SiC晶須。?

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