[發明專利]Na摻雜生長p型Zn1－xMgxO晶體薄膜的方法無效
| 申請號： | 200810062158.6 | 申請日： | 2008-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN101319384A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 葉志鎮;陳凌翔;林時勝 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B23/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | na 摻雜 生長 zn sub mg 晶體 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.Na摻雜生長p型Zn1-xMgxO晶體薄膜的方法，其特征是步驟如下：
1)將純氧化鋅、氧化鎂和碳酸鈉粉末經球磨混合后壓制成型，在600-800℃預燒結2小時以上，再在1000-1500℃燒結2小時以上，制得摻Na2O的Zn1-xMgxO靶材，Mg的摩爾含量x為5-30％，Na的摩爾含量為0.1-1.5％；
2)將襯底表面清洗后放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，生長室真空度抽到至少10-3Pa，然后加熱襯底，使襯底溫度為400-700℃，以摻Na2O的Zn1-xMgxO為靶材，以純O2為生長氣氛，控制O2壓強15-60Pa，激光頻率為1-5Hz，進行生長，生長后在氧氣保護氣氛下冷卻。
2.根據權利要求1所述的Na摻雜生長p型Zn1-xMgxO晶體薄膜的方法，其特征是所說的襯底是氧化鋅、硅、藍寶石、玻璃或石英。
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