[發(fā)明專利]NMOS管嵌入式雙向可控硅靜電防護(hù)器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810062061.5 | 申請日： | 2008-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN101281909A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱科翰;董樹榮;韓雁 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L23/60;H01L29/747 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | nmos 嵌入式 雙向 可控硅 靜電 防護(hù) 器件 | ||
1.一種NMOS管嵌入式雙向可控硅靜電防護(hù)器件，包括P型襯底(3)，其特征在于：P型襯底(3)上設(shè)有N阱(6)、第一T阱(1)和第二T阱(2)，第一T阱(1)和第二T阱(2)四周側(cè)面被N阱(6)包圍，由外向內(nèi)，第一T阱(1)上依次設(shè)有第一P+擴散有源區(qū)(11)、第一N+擴散有源區(qū)(12)、第二T阱(2)上依次設(shè)有第二P+擴散有源區(qū)(21)、第二N+擴散有源區(qū)(22)，第一T阱(1)和第二T阱(2)之間的N阱(6)上設(shè)有第三N+擴散有源區(qū)(7)，第三N+擴散有源區(qū)(7)的兩端分別跨設(shè)于第一T阱(1)和第二T阱(2)上，第一N+擴散有源區(qū)(12)與第三N+擴散有源區(qū)(7)之間的第一T阱(1)表面以及第二N+擴散有源區(qū)(22)與第三N+擴散有源區(qū)(7)之間的第二T阱(2)表面覆有多晶硅層(5a、5b)，多晶硅層(5a、5b)與第一T阱(1)和第二T阱(2)通過SiO2氧化層隔離，除第三N+擴散有源區(qū)(7)與第一N+擴散有源區(qū)(12)和第二N+擴散有源區(qū)(22)外，各擴散有源區(qū)通過淺溝槽(4)隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NMOS管嵌入式雙向可控硅靜電防護(hù)器件，其特征在于：所述的第一T阱(1)和第二T阱(2)之間的N阱(6)上設(shè)有淺溝槽(4)，淺溝槽(4)將第三N+擴散有源區(qū)(7)隔斷。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
