[發明專利]有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法

無效

• 申請號: 200810061772.0
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN101353355A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 馬國維;蔡水兵;李偉;馬高琪;羅燚;余小春
• 申請（專利權）人: 浙江合盛化工有限公司
• 主分類號: C07F7/12
• 分類號: C07F7/12
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司
• 代理人: 沈孝敬

1.有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于，利用生產有機硅單體二甲基二氯硅烷(CH₃)₂SiCl₂過程中產生的高沸物和低沸物為主要原料，以鋁粉作為催化劑，在高壓反應釜中，在加溫、加壓的條件下裂解歧化反應，反應產物經精餾、分離得到二甲基二氯硅烷，其中高壓反應釜的反應溫度為250℃～350℃，攪拌轉速為200r/min～350r/min，高壓反應釜內的反應壓力為6MPa～10MPa，保溫時間為1～5h。

2.如權利要求1所述的有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于所述的催化劑鋁粉的用量為0.5％～1％。

3.如權利要求2所述的有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于所述的催化劑鋁粉的用量為0.7％～0.9％。

4.如權利要求1-3任何一項所述的有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于，所述的高沸物、低沸物混合物，其中高沸物是指沸程為70℃～215℃的混合物，其主要組成為含有Si-Si、Si-O-Si、Si-CH₂-Si鍵的甲基氯二硅烷化合物；低沸物是指單體粗產物中沸點低于40℃的混合物，主要成份是(CH₃)₄Si、(CH₃)₂HSiCl、CH₃HSiCl₂；所述的混合物中低沸物與高沸物的質量比為1∶0.7～1.1。

5.如權利要求4所述的有機硅高低沸物裂解歧化反應制備二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于所述的高沸物和低沸物混合物中低沸物與高沸物的質量比為1∶0.8～1.0。