[發明專利]基于狹縫波導的馬赫－曾德型硅光波導開關

無效

• 申請號: 200810061435.1
• 申請日: 2008-04-30
• 公開（公告）號: CN101276068A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 肖司淼;王翔;王帆;郝寅雷;江曉清;王明華;楊建義
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02F1/065
• 分類號: G02F1/065;G02B6/35;H04B10/12
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 林懷禹

1、一種基于狹縫波導的馬赫-曾德型硅光波導開關，其特征在于：包括輸入端實現功分功能的3dB耦合器(1)、輸出端干涉耦合器(4)，兩條狹縫波導結構的干涉臂(3)和兩組模斑轉換結構(2)；輸入端實現功分功能的3dB耦合器(1)分波后，經第一組兩個模斑轉換結構(2)分別連接到兩條狹縫波導結構的干涉臂(3)，再經第二組兩個模斑轉換結構(2)后，連接到輸出端干涉耦合器(4)。

2、根據權利要求1所述的一種基于狹縫波導的馬赫-曾德型硅光波導開關，其特征在于：所述的兩條狹縫波導結構干涉臂(3)的狹縫(6)中填充的電光材料為電光聚合物或液晶。

3、根據權利要求1所述的一種基于狹縫波導的馬赫-曾德型硅光波導開關，其特征在于：所述的模斑轉換結構(2)是引入單根硅波導組成的錐形漸變波導對(8)，或者同時引入兩根硅波導組成的錐形漸變波導對(9)。

4、根據權利要求1所述的一種基于狹縫波導的馬赫-曾德型硅光波導開關，其特征在于：所述的3dB耦合器(1)為1×2多模干涉耦合器(16)、2×2多模干涉耦合器(14)、Y分支(10)或方向耦合器(17)；干涉耦合器(4)為2×2多模干涉耦合器(15)、X結(11)或方向耦合器(17)；不同的3dB耦合器(1)和不同的干涉耦合器(4)間其相互組合分別構成1×2和2×2的光波導光開關。

5、根據權利要求1所述的一種基于狹縫波導的馬赫-曾德型硅光波導開關，其特征在于：由所述的干涉臂狹縫(6)兩側的硅波導(5)作為對狹縫中電光材料實施調制的電極。