[發明專利]Nb摻雜生長n型ZnO透明導電薄膜的方法

有效

• 申請號: 200810061237.5
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101245460A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 葉志鎮;林均銘;吳亞貞;趙炳輝
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C24/10
• 分類號: C23C24/10
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種Nb摻雜生長n型ZnO透明導電薄膜的方法采用的是脈沖激光沉積法，其特征在于包括如下步驟：

1)稱取25～30g純度≥99.99％的ZnO和0.01～1g純度≥99.99％的Nb₂O₅粉末，球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000～1300℃溫度下燒結，制得摻Nb的ZnO陶瓷靶；

2)將摻Nb的ZnO陶瓷靶和清洗過的襯底放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，靶材與襯底之間的距離為4～6cm，生長室抽真空度至少至10^-3Pa，襯底加熱升溫到100～600℃，生長室通入純度≥99.99％的氧氣，控制壓強為0.01～1Pa，開啟激光器，讓激光束聚焦到靶面燒蝕靶材，形成余輝，沉積在襯底上，制得Nb摻雜n型ZnO透明導電薄膜，將薄膜在氧氣氛下冷卻至室溫。

2.根據權利要求1所述的一種Nb摻雜生長n型ZnO透明導電薄膜的方法，其特征在于所述的襯底是藍寶石或石英或玻璃。