[發明專利]用于紫外探測的納米晶薄膜器件的制備方法

無效

• 申請號: 200810060888.2
• 申請日: 2008-03-25
• 公開（公告）號: CN101257065A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 金一政
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.用于紫外探測的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征是包括以下步驟：

1)將可溶性半導體納米晶材料溶于溶劑，配制質量濃度為2-200mg/ml的納米晶溶液；

2)采用旋涂法或噴墨打印法將納米晶溶液加工在襯底上，形成均勻的納米晶薄膜；

3)將納米晶薄膜在100-350℃溫度下退火處理10-60分鐘，然后在納米晶薄膜上蒸鍍電極。

2.根據權利要求1所述的紫外探測器的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征在于所說的半導體納米晶材料是ZnO納米晶、摻Mg的ZnO納米晶、或摻Al的ZnO納米晶。

3.根據權利要求1所述的紫外探測器的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征在于所說的溶劑是氯仿、苯、四氫呋喃或氯苯。

4.根據權利要求1所述的紫外探測器的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征是納米晶薄膜的厚度在0.01-100μm。

5.根據權利要求1所述的紫外探測器的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征在于所說的襯底為Si、SiO₂/Si、玻璃、ITO玻璃、石英、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。

6.根據權利要求1所述的紫外探測器的納米晶薄膜器件的制備方法，其特征在于所說的電極為Au、Ag、Al、Cu、In、Cr或ITO，電極的厚度為30-200nm。