[發明專利]一種制備半哈斯勒熱電化合物的方法無效
| 申請號： | 200810059931.3 | 申請日： | 2008-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN101245426A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 蔚翠;朱鐵軍;徐績;姜廣宇;趙波;趙新兵 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C22C13/00 | 分類號： | C22C13/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 半哈斯勒 熱電 化合物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備半哈斯勒熱電化合物的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)根據化學式ZrxTi1-xNiSnySb1-y，0.5≤x≤1，0.97≤y≤1，稱取原料純Ti，純Zr，純Ni，純Sn和純Sb，將原料混合后，冷壓壓制成型；
2)將壓制成型的原料放入感應加熱懸浮熔煉爐的坩堝中，抽真空，在純氬氣氣氛中進行懸浮熔煉至完全熔化，保溫80～100s，冷卻；
3)待樣品完全冷卻后取出，敲碎，重新放入感應加熱懸浮熔煉爐的坩堝中，抽真空，在純氬氣氣氛中再熔煉至完全熔化，保溫80～100s，冷卻后得到半哈斯勒熱電化合物。
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