[發明專利]一種原位復合Mg－Si－Sn基熱電材料及其制備方法無效
| 申請號： | 200810059853.7 | 申請日： | 2008-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN101237019A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發明（設計）人： | 趙新兵;張倩;賀健;張勝楠;朱鐵軍;T·.M·崔特 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L35/14 | 分類號： | H01L35/14;H01L35/34;C22C1/04 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原位 復合 mg si sn 熱電 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種原位復合Mg-Si-Sn基熱電材料，其特征在于該材料的化學組成為Mg2-yLaySi0.5+xSn0.5-x，x＝0～0.08，y＝0～0.1，結構為材料中的富Si晶粒被原位生成的富Sn薄層包覆。
2.根據權利要求1所述的原位復合Mg-Si-Sn基熱電材料，其特征在于所述的富Sn薄層的Si∶Sn原子含量比為0.30～0.40∶0.60～0.70。
3.根據權利要求1所述的原位復合Mg-Si-Sn基熱電材料，其特征在于所述的富Si晶粒的Si∶Sn原子含量比為0.60～0.70∶0.40～0.30。
4.根據權利要求1所述的原位復合Mg-Si-Sn基熱電材料，其特征在于所述的富Sn薄層的厚度在500nm以下。
5.根據權利要求1所述的原位復合Mg-Si-Sn基熱電材料的制備方法，其特征在于步驟如下：
將原料按化學劑量比Mg2-yLaySi0.5+xSn0.5-x，x＝0～0.08，y＝0～0.1，計算稱量后，在Ar氣保護下，于1100～1200℃充分熔化，然后快速降溫至860～900℃，再按1℃/分鐘的降溫速度冷卻到780℃，在500～600℃下退火至少100h后，經過機械球磨，在600～700℃，60～80MPa下真空熱壓1～2h。
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