[發明專利]一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200810058312.2
• 申請日: 2008-04-23
• 公開（公告）號: CN101260512A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 張玉勤;蔣業華;周榮
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23C14/54
• 代理公司: 昆明正原專利代理有限責任公司
• 代理人: 徐玲菊

1、一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于經過下列工藝步驟：

(1)將純度為99.99％的氧化鉭Ta₂O₅和氧化錫SnO₂粉末充分混合，在60～80Mpa的壓強下壓制成坯后，放入高溫燒結爐，在空氣中1500～1650℃下燒結3～5小時，燒結成鉭摻雜氧化錫濺射靶材；

(2)將所制得的鉭摻雜氧化錫濺射靶材用分析純丙酮和去離子水充分清洗，然后在120～140℃保溫2～3小時，去除表面油污等雜質；

(3)采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前先用分析純丙酮和去離子水清洗，之后在80～90℃保溫1～2小時，以去除表面油污等雜質；

(4)將經步驟(2)和(3)處理過的濺射靶材及玻片放入磁控濺射儀中，抽真空使得濺射室本底真空度達到1×10^-4Pa，然后持續充入純度為99.999％的氬氣和99.99％的氧氣的混合氣體，接著對靶材預濺射5min，去除表面雜質后，保持玻璃基底溫度25～100℃，再對靶材進行濺射，制得濺射態薄膜；

(5)將(4)步驟所得薄膜放入熱處理爐中，在溫度為400～600℃，保溫0.5～3小時的條件下進行熱處理，之后將樣品冷卻至室溫，即得鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜。

2、按權利要求1所述的一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(1)中鉭摻雜氧化錫濺射靶材的成分是：靶材中Ta₂O₅的質量百分含量(wt.％)控制在1～10％，其余為SnO₂。

3、按權利要求1所述的一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(4)中的薄膜濺射工藝條件是：濺射功率50～400W，濺射過程中，控制濺射室內氬氣壓力為0.4～1Pa，氧氣分壓為0.5～1.5Pa，濺射時間15～50min。

4、按權利要求1所述的一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(5)中的熱處理氣氛為空氣、氮氣或氬氣。