[發明專利]一種基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料

無效

• 申請號: 200810058310.3
• 申請日: 2008-04-23
• 公開（公告）號: CN101265501A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 周榮;張玉勤;蔣業華
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C12Q1/68
• 分類號: C12Q1/68;G01N27/00;C03C17/34
• 代理公司: 昆明正原專利代理有限責任公司
• 代理人: 徐玲菊

1.一種基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料，其特征在于載體材料由基底材料、鉭摻雜氧化錫薄膜及醛基活性修飾層組成，并且鉭摻雜氧化錫薄膜的成分為下列質量百分含量：Ta?0.8～8.2％；Sn?70.9～78％；O?20.9～21.2％；且載體材料經過下列工藝步驟制得：

(1)將純度均為99.99％的Ta₂O₅和SnO₂粉末，按靶材中Ta₂O₅的質量百分含量為1～10％，其余為SnO₂的量充分混合，在60～80Mpa的壓強下壓制成坯后，放入高溫燒結爐，在空氣中1500～1650℃下燒結3～5小時，燒結成鉭摻雜氧化錫濺射靶材；

(2)將所制得的鉭摻雜氧化錫濺射靶材用分析純丙酮和去離子水充分清洗，然后在120～140℃保溫2～3小時，去除表面油污雜質；

(3)將普通載玻片或單晶硅片基底材料在濺射前先用分析純丙酮和去離子水清洗，之后在80～90℃保溫1～2小時，以去除表面油污雜質；

(4)將經步驟(2)和(3)處理過的濺射靶材及普通載玻片或單晶硅片基底材料放入磁控濺射儀中，抽真空使得濺射室本底真空度達到1×10^-4Pa，然后持續充入純度為99.999％的氬氣和99.99％的氧氣的混合氣體，接著對靶材預濺射5min，去除表面雜質后，保持玻璃基底材料溫度25～100℃，再對靶材進行濺射，制得鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜，其濺射工藝條件為：濺射功率50～400W，濺射過程中，控制濺射室內氬氣壓力為0.4～1Pa，氧氣分壓為0.5～1.5Pa，以便控制氬氣和氧氣的混合比例，濺射時間15～50min；

(5)將步驟(4)所得薄膜放入氣氛為空氣、氮氣或氬氣的熱處理爐中，在溫度為400～600℃，保溫0.5～3小時的條件下進行熱處理，之后將樣品冷卻至室溫；

(6)將步驟(5)所得薄膜樣品放入采用濃度為95％的乙醇配制的濃度為2～4M的NaOH溶液中浸泡2～3小時，然后用無水乙醇清洗，并在40～60℃溫度下烘干，保溫2～3小時，以便對鉭摻雜氧化錫薄膜表面進行羥基化處理；

(7)將步驟(6)所得薄膜樣品再放入采用濃度為95％的乙醇配制的濃度為0.5～1M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷溶液中浸泡12～24小時，用無水乙醇和去離子水清洗后，在100～150℃保溫3～4小時，使樣品干燥并冷卻至室溫，以便對鉭摻雜氧化錫薄膜表面進行氨基硅烷化處理；

(8)將步驟(7)所得薄膜樣品在采用去離子水配制的質量濃度為8～12％的戊二醛溶液中浸泡1～2小時，然后用去離子水清洗，40～60℃烘干，保溫2～3小時后冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料。

2.按權利要求1所述的基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料，其特征在于所述載體材料中鉭摻雜氧化錫薄膜的厚度為100～300nm。

3.按權利要求1所述的基因芯片用鉭摻雜氧化錫薄膜載體材料，其特征在于所述載體材料中鉭摻雜氧化錫薄膜的電阻率為(2.1～9.2)×10^-3Ω·cm。