[發明專利]用于X射線曝光的光刻掩模結構及其制備方法

無效

• 申請號: 200810057937.7
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101515110A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 朱效立;謝常青;葉甜春;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1、一種用于X射線曝光的光刻掩模結構，其特征在于，該結構由低原子序數金屬薄膜、聚酰亞胺薄膜和高原子序數金屬吸收體圖形自下而上依次構成。

2、根據權利要求1所述的用于X射線曝光的光刻掩模結構，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜為鏤空薄膜，所述低原子序數金屬薄膜形成于該鏤空聚酰亞胺薄膜的背面，所述高原子序數金屬吸收體圖形形成于該鏤空聚酰亞胺薄膜的正面。

3、根據權利要求1所述的用于X射線曝光的光刻掩模結構，其特征在于，所述低原子序數金屬薄膜為鋁膜，厚度為100至200納米。

4、根據權利要求1所述的用于X射線曝光的光刻掩模結構，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為1至7微米。

5、根據權利要求1所述的用于X射線曝光的光刻掩模結構，其特征在于，所述高原子序數金屬吸收體圖形為重金屬吸收體的周期、準周期和非周期復雜圖形，其中重金屬為金、鎢或鉭，該高原子序數金屬吸收體圖形的厚度為300至500納米。

6、一種制備光刻掩模結構的方法，其特征在于，該方法包括：

制備鏤空的聚酰亞胺薄膜；

在該鏤空聚酰亞胺薄膜的正面制備高原子序數金屬吸收體圖形；

在該鏤空聚酰亞胺薄膜的背面淀積低原子序數金屬薄膜。

7、根據權利要求6所述的制備光刻掩模結構的方法，其特征在于，所述制備鏤空的聚酰亞胺薄膜的步驟包括：

在硅襯底或石英玻璃襯底上淀積一層聚酰亞胺薄膜，然后采用氫氟酸、硝酸和醋酸混合液腐蝕硅襯底，或者采用氫氟酸腐蝕石英玻璃襯底，形成厚度為1至7微米的鏤空聚酰亞胺薄膜。

8、根據權利要求6所述的制備光刻掩模結構的方法，其特征在于，所述制備高原子序數金屬吸收體圖形的步驟包括：

采用電子束光刻、光學光刻、X射線光刻、電鍍或蒸發剝離的方法在鏤空聚酰亞胺薄膜的正面，制備厚度為300至500納米的金屬金、鎢或鉭的吸收體圖形。

9、根據權利要求6所述的制備光刻掩模結構的方法，其特征在于，所述淀積低原子序數金屬薄膜的步驟包括：

采用電子束蒸發或濺射的方法在鏤空聚酰亞胺薄膜的背面，制備厚度為100至200納米的金屬鋁膜。