[發明專利]具有緊密體接觸的射頻SOI LDMOS器件有效

申請號：	200810057921.6	申請日：	2008-02-21
公開（公告）號：	CN101515586A	公開（公告）日：	2009-08-26
發明（設計）人：	劉夢新;畢津順;范雪梅;趙超榮;韓鄭生;劉剛	申請（專利權）人：	中國科學院微電子研究所
主分類號：	H01L27/12	分類號：	H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司	代理人：	周國城
地址：	100029***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有緊密接觸射頻 soi ldmos 器件
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【權利要求書】：

1.一種基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，該射頻LDMOS器件由從上至下依次為頂層硅(3)、埋氧層(2)和底層硅(1)的絕緣體上硅SOI作為基本架構，該射頻LDMOS器件包括：

設置于埋氧層(2)上表面的P^-區(20)，在緊鄰P^-區(20)兩側分別設置的第一N^-區(23)和第二N^-區(24)；

設置于頂層硅(3)上表面的第一柵氧化層(7)和第二柵氧化層(8)；

設置于第一柵氧化層(7)上表面的第一多晶硅柵層(9)，設置于第一多晶硅柵層(9)上表面的第一柵多晶硅化物層(11)，以及設置于第一柵多晶硅化物層(11)上表面的第一柵電極(17)；設置于第一多晶硅柵層(9)一側的第二氮化硅側墻(14)，以及設置于第一多晶硅柵層(9)另一側的第一氮化硅側墻(13)；

設置于第二柵氧化層(8)上表面的第二多晶硅柵層(10)，設置于第二多晶硅柵層(10)上表面的第二柵多晶硅化物層(12)，以及設置于第二柵多晶硅化物層(12)上表面的第二柵電極(18)；設置于第二多晶硅柵層(10)一側的第三氮化硅側墻(15)，以及設置于第二多晶硅柵層(10)另一側的第四氮化硅側墻(16)；

設置于第一柵氧化層(7)一側的第一N^-漂移區(25)，在緊鄰第一N^-漂移區(25)的旁側設置的第一漏區(27)，設置于第一漏區(27)上表面的第一漏區硅化物層(29)，設置于第一漏區硅化物層(29)上表面的第一漏電極(30)；

設置于第二柵氧化層(8)一側的第二N^-漂移區(26)，在緊鄰第二N^-漂移區(26)的旁側設置的第二漏區(28)，設置于第二漏區(28)上表面的第二漏區硅化物層(31)，設置于第二漏區硅化物層(31)上表面的第二漏電極(32)；

設置于第一柵氧化層(7)另一側的第一源區(35)，設置于第二柵氧化層(8)另一側的第二源區(19)，在緊鄰第一源區(35)和第二源區(19)的前方和后方設置的與P^-區(20)同型的重摻雜體接觸區(4)，在體接觸區(4)和第一源區(35)以及第二源區(19)上表面設置的體區及源區硅化物層(21)，設置于體區及源區硅化物層(21)上表面的源電極(22)。

2.根據權利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一柵氧化層(7)和第二柵氧化層(8)分別覆蓋了頂層硅(3)上表面等于設計規則中溝道尺寸的區域。

3.根據權利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一漏區(27)和第一N^-漂移區(25)設置于第一N^-區(23)內，所述第二漏區(28)和第二N^-漂移區(26)設置于第二N^-區(24)內。

4.根據權利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一源區(35)和第二源區(19)以及體接觸區(4)設置于P^-區(20)內。

5.根據權利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一N^-區(23)與P^-區(20)的交界處位于第一柵氧化層(7)的下方，所述第二N^-區(24)與P^-區(20)的交界處位于第二柵氧化層(8)的下方。

6.根據權利要求5所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一N^-區(23)及第二N^-區(24)與P^-區(20)交界，所述第一N^-區(23)與P^-區(20)的交界之處距離第一柵氧化層(7)靠近第一N^-漂移區(25)的一側0至200nm；所述第二N^-區(24)與P^-區(20)的交界之處距離第二柵氧化層(8)靠近第二N^-漂移區(26)的一側0至200nm。