[發明專利]減少半導體基片顆粒污染的方法及系統

有效

• 申請號: 200810057751.1
• 申請日: 2008-02-15
• 公開（公告）號: CN101510498A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 魏曉
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 王建國

1.一種減少半導體基片顆粒污染的方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟A：大氣機械手將半導體基片移動到基片中轉站；

步驟B：靜電場發生裝置將所述半導體基片表面吸附的顆粒吸離；

步驟C：空氣過濾送風裝置將被吸離的顆粒吹走；

步驟D：所述大氣機械手將所述半導體基片移出所述基片中轉站。

2.如權利要求1所述的減少半導體基片顆粒污染的方法，其特征在于，所述靜電場發生裝置安裝在所述基片中轉站。

3.如權利要求1或2所述的減少半導體基片顆粒污染的方法，其特征在于，所述基片中轉站具體為傳輸系統大氣端中的基片緩沖裝置。

4.如權利要求1或2所述的減少半導體基片顆粒污染的方法，其特征在于，所述基片中轉站位于所述大氣機械手的運動軌跡上。

5.一種減少半導體基片顆粒污染的系統，所述系統包括大氣機械手、基片中轉站、空氣過濾送風裝置和離子發生器，所述大氣機械手將半導體基片放置于所述空氣過濾送風裝置和所述離子發生器，其特征在于，所述系統還包括靜電場發生裝置，所述大氣機械手將經過所述空氣過濾送風裝置和所述離子發生器處理后的半導體基片放置于所述靜電場發生裝置，所述靜電場發生裝置用于將半導體基片上未能被所述離子發生器消除的靜電吸附顆粒消除，所述靜電場發生裝置安裝在所述基片中轉站。

6.如權利要求5所述的減少半導體基片顆粒污染的系統，其特征在于，所述靜電場發生裝置包括靜電場發生控制器、上電極、下電極和電場強度檢測顯示單元；

所述靜電場發生控制器，用于調整所述上電極和下電極之間的靜電場場強；

所述電場強度檢測顯示單元，用于檢測并顯示所述上電極和下電極之間的靜電場場強。

7.如權利要求6所述的減少半導體基片顆粒污染的系統，其特征在于，所述電場強度檢測顯示單元與靜電場發生控制器集成在一起。