[發(fā)明專利]一種含鹵素的高溫超導(dǎo)體晶體及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810057518.3 | 申請日: | 2008-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN101307489A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉青清;李鳳英;靳常青 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | C30B29/10 | 分類號: | C30B29/10;C30B1/12;C04B35/00 |
| 代理公司: | 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 尹振啟 |
| 地址: | 100080北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鹵素 高溫 超導(dǎo)體 晶體 及其 制備 方法 | ||
1、一種Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體晶體,該晶體頂角氧摻雜且具有異常大的a軸晶格參數(shù),其中0<δ<2,0.4≤y≤1.2,a不小于
2、如權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)體晶體,其特征在于,該晶體的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度為10-60K。
3、如權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)體晶體,其特征在于,其頂角位置由氧和氯完全占據(jù)且載流子為p型載流子。
4、權(quán)利要求1-3任一項所述的高溫超導(dǎo)體晶體,其特征在于,該晶體的空間群為I4/mmm,晶格常數(shù)為
5、一種權(quán)利要求1-4任一項所述的Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體晶體的制備方法,該方法利用頂角氧摻雜機制,通過前驅(qū)體方法在高壓下制備Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體,包括以下步驟:
1)在常壓下,制備Sr2CuO2Cl2和Sr2CuO3前驅(qū)體樣品;
2)將前驅(qū)體Sr2CuO2Cl2和Sr2CuO3與SrO2和CuO按(2-y)/2∶(p/2)∶q∶(y-p)/2的摩爾比(其中Sr2CuO3與SrO2的摩爾數(shù)分別為p和q,y=p+q,0<p<1,0<q<1)在惰性氣體中稱量、混合并研磨,然后壓片,用金箔或鉑箔包裹,并封裝在NaCl內(nèi),并將壓好的樣品放入置于高壓組裝件內(nèi)的石墨爐中,進行高壓合成,得到Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體晶體,其中高壓合成的壓力為3-8GPa,溫度為850-1200℃,保溫20分鐘以上。
6、如權(quán)利要求5所述的高溫超導(dǎo)體的制備方法,其特征在于,所述壓力為4-7GPa,所述溫度為950-1100℃,所述惰性氣體為氬氣。
7、如權(quán)利要求5所述的高溫超導(dǎo)體的制備方法,其特征在于,步驟1)合成Sr2CuO3前驅(qū)體的具體步驟包括:
采用常壓下固相反應(yīng)方法,將99.9%或以上純度的SrCO3和CuO粉末以2∶1的摩爾比混合、研磨,并在950℃的條件下燒結(jié),保溫24小時,或者重復(fù)該燒結(jié)三次,得到單相的Sr2CuO3化合物。
8、如權(quán)利要求5所述的高溫超導(dǎo)體的制備方法,其特征在于,步驟2)合成Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體晶體的具體步驟包括:
將合成的前驅(qū)體Sr2CuO2Cl2、Sr2CuO3與SrO2和CuO按所述摩爾比在充有氬氣的手套箱中稱量、混合、均勻研磨;然后壓成直徑5mm的小圓片,用金箔或鉑箔包裹,并封裝在Φ8×15mm的NaCl圓柱內(nèi);將壓好的樣品放入石墨爐,裝入高壓組裝件內(nèi)進行高壓合成,樣品合成在六面頂大壓機上進行,先在室溫下緩慢升壓至6GPa,再啟動加熱程序加熱至900-1100℃,在高溫高壓條件下保溫20-60分鐘,淬火至室溫,然后卸壓,獲得Sr2CuO2+δCl2-y高溫超導(dǎo)體晶體。
9、如權(quán)利要求8所述的高溫超導(dǎo)體的制備方法,其特征在于,在高壓實驗前首先進行溫度和壓力的標定,并用控制加熱功率的方法控制加熱溫度。
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