[發(fā)明專利]一種電磁無損檢測(cè)探頭的檢測(cè)方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810057273.4
• 申請(qǐng)日: 2008-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN101231264A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鐵群;謝寶忠;劉桂雄;張清華;洪曉斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/82
• 分類號(hào): G01N27/82;G01R15/12;G01R33/00
• 代理公司: 北京捷誠(chéng)信通專利事務(wù)所
• 代理人: 魏殿紳

1.一種電磁無損檢測(cè)探頭的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括：接收命令，該命令為從主機(jī)接收到的工作參數(shù)；

根據(jù)所述接收到的工作參數(shù)對(duì)檢測(cè)方式進(jìn)行設(shè)定，并將自身的各個(gè)特性參數(shù)發(fā)送到主機(jī)；

根據(jù)所述檢測(cè)方式的設(shè)定啟動(dòng)工作線圈和陣列巨磁傳感元件并進(jìn)行檢測(cè)；

輸出檢測(cè)到的磁場(chǎng)信號(hào)到主機(jī)，且該主機(jī)對(duì)接收到的磁場(chǎng)信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析與處理；

接收主機(jī)信號(hào)處理中與探頭組成元件相關(guān)的參數(shù)，并對(duì)存儲(chǔ)于Flash芯片的探頭各相應(yīng)元件的特性參數(shù)進(jìn)行修正。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)方法包括渦流檢測(cè)、漏磁檢測(cè)及磁記憶檢測(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述巨磁傳感元件包括Y向磁場(chǎng)巨磁傳感陣列與X向磁場(chǎng)巨磁傳感陣列，且巨磁傳感元件為巨磁阻或巨磁阻抗。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)探頭為渦流檢測(cè)方式時(shí)，其步驟包括：

設(shè)置Y向磁場(chǎng)巨磁傳感陣列與X向磁場(chǎng)巨磁傳感陣列的工作磁場(chǎng)；

激勵(lì)線圈接收主機(jī)輸出的任意波形激勵(lì)電流，產(chǎn)生渦流激勵(lì)磁場(chǎng)；

陣列巨磁傳感元件將接收到的檢測(cè)信號(hào)經(jīng)過多路轉(zhuǎn)換芯片、前置放大器輸出到主機(jī)；

主機(jī)根據(jù)對(duì)接收到的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行分析與處理實(shí)現(xiàn)任意波形激勵(lì)的渦流檢測(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)探頭進(jìn)行漏磁檢測(cè)時(shí)，其步驟包括：

采用永磁鐵、直流電流或交流電流對(duì)待測(cè)鐵磁部件進(jìn)行勵(lì)磁磁化；

設(shè)置偏置線圈；

陣列巨磁傳感元件將接收到的檢測(cè)信號(hào)經(jīng)多路轉(zhuǎn)換器、前置放大器輸出到主機(jī)；

主機(jī)根據(jù)對(duì)接收到的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行分析與處理實(shí)現(xiàn)漏磁檢測(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)探頭進(jìn)行磁記憶檢測(cè)時(shí)，其步驟包括：

設(shè)置偏置線圈；

陣列巨磁傳感元件將接收到的檢測(cè)信號(hào)經(jīng)多路轉(zhuǎn)換器、前置放大器輸出到主機(jī)；

主機(jī)根據(jù)對(duì)接收到的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行分析與處理實(shí)現(xiàn)磁記憶檢測(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述巨磁元件的工作磁場(chǎng)通過直流或正弦電流的勵(lì)磁磁化方式實(shí)現(xiàn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)探頭對(duì)磁記憶檢測(cè)時(shí)，待檢測(cè)鐵磁性部件通過地磁場(chǎng)進(jìn)行磁化。