[發明專利]一種有機發光器件及其制備方法有效

申請號：	200810057017.5	申請日：	2008-01-29
公開（公告）號：	CN101222027A	公開（公告）日：	2008-07-16
發明（設計）人：	邱勇;李揚;段煉	申請（專利權）人：	清華大學;北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術有限公司
主分類號：	H01L51/50	分類號：	H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
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【權利要求書】：

1.一種有機發光器件，包括基板、陽極和陰極，以及介于在該對電極之間的有機發光介質層，其中陰極為復合結構，其特征在于，該陰極結構中包括合金層，該層中的合金金屬包括銫，所述陰極結構中還包括導電層，該導電層選自鋁、鎵、銦、錫、鋅、鎘、釔、鎳、銀、金或氧化銦錫、氧化銦鋅。

2.按照權利要求1所述的器件，其特征在于，所述陰極結構合金層中的金屬優先為銫與銀、銫與鋁、銫與金，該合金層厚度為1到50nm，導電層的厚度為10到1000nm。

3.按照權利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述陰極結構中的合金層金屬優選為銫與銀合金，其中銫與銀的質量比為7∶1。

4.一種有機電致發光器件的制備方法，該器件的陰極結構中包括合金層和導電層，合金層中的金屬包括銫，導電層選自鋁、銀、金或氧化銦錫，其特征在于，在制備含有金屬銫的陰極結構時，所述的金屬銫采用真空蒸鍍含有銫的鹽的方法制備形成，含有銫的鹽在真空熱蒸鍍過程中發生熱分解反應而產生金屬銫蒸氣，通過銫蒸氣的沉積將金屬銫制備到器件陰極結構中。

5.按照權利要求4所述的制備方法，其特征在于所述金屬銫是由含有銫的鹽在溫度為400700℃，壓強小于10^-2Pa的條件下蒸鍍而成，含有金屬銫的鹽選自Cs₂CO₃、CsIO₃、CsClO₄、CsNO₃、Cs₂SO₄、Cs₂SeO₄、CsBO₂、CsAlO₂、CsSiO₃、CsGeO₃、CsNO₃、CsNO₂、Cs₃PO₄、Cs₃AsO₄、Cs₃SbO₄、Cs₂O、Cs₂S、Cs₂SO₃、Cs₂SO₄、Cs₂SeO₄、Cs₂SeO₃、Cs₂TeO₄、Cs₂TeO₃、CsClO₄、CsClO₃、CsClO、CsBrO₄、CsBrO₃、CsBrO、CsIO或CsIO₃中的至少一種。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，該器件的陰極結構中包括合金層和導電層，合金層中的金屬包括銫，導電層選自鋁、銀、金或氧化銦錫，其特征在于，在制備陰極結構中含有金屬銫的合金層時，采用雙源共蒸的方法蒸鍍含有銫的鹽與另一金屬，該另一金屬選自鋁、鎵、銦、錫、鋅、鎘、釔、鎳、銀、金。

7.按照權利要求6所述的制備方法，其特征在于所述金屬銫是由含有銫的鹽在溫度為400-700℃，壓強小于10^-2Pa的條件下蒸鍍而成，含有金屬銫的鹽選自Cs₂CO₃、CsIO₃、CsClO₄、CsNO₃、Cs₂SO₄、Cs₂SeO₄、CsBO₂、CsAlO₂、CsSiO₃、CsGeO₃、CsNO₃、CsNO₂、Cs₃PO₄、Cs₃AsO₄、Cs₃SbO₄、Cs₂O、Cs₂S、Cs₂SO₃、Cs₂SO₄、Cs₂SeO₄、Cs₂SeO₃、Cs₂TeO₄、Cs₂TeO₃、CsClO₄、CsClO₃、CsClO、CsBrO₄、CsBrO₃、CsBrO、CsIO或CsIO₃中的至少一種。