[發明專利]TFT-LCD像素結構

無效

• 申請號: 200810056881.3
• 申請日: 2008-01-25
• 公開（公告）號: CN101493616A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: 申偉;李麗;高浩然
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器，特別是一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。目前，隨著TFT-LCD的大型化發展趨勢，面板尺寸越來越大，因此生產中發生各種不良的幾率也越來越大。同時，隨著像素點面積的增大，像素不良對畫面品質的影響也越來越大。因此，對于大型的TFT-LCD，應盡量減少生產中發生各種不良的幾率，同時提高單個像素工作的可靠性。

TFT-LCD包括彩膜基板和陣列基板，兩基板間充滿著液晶材料，通過對彩膜基板上的透明電極施加公共電壓和對陣列基板的像素電極施加數據電壓，使液晶在彩膜基板和陣列基板間的電場作用下發生偏轉。通過數據電壓的變化可以調整該電場強度和方向，因此可以控制液晶材料的扭轉角度，從而可控制該區域光的透過量。

圖8為現有技術TFT-LCD像素結構的示意圖，TFT-LCD陣列基板上形成多個平行的柵線2以及與柵線絕緣垂直交叉的多個數據線3，柵線2和數據線3圍成數個像素區域，柵線2和數據線3的交叉部分形成作為開關器件的薄膜晶體管1(TFT)，薄膜晶體管1與設置在像素區域的像素電極4連接。同時陣列基板上還形成有與柵線2平行并數量相同的公共電極線6，使像素電極4和公共電極線6之間形成存儲電容，像素電極之間由遮擋條5隔開。但實際生產表明，現有TFT-LCD像素結構的公共電極線造成相當多的不良，且難以維修。例如，生產中容易造成公共電極線的斷路，公共電極線與刪線之間的短路或公共電極線與數據線之間的短路，又如，由于公共電極線造成的段差容易引起數據線斷路等。上述不良一旦出現將很難維修，維修成功率較低。另外，公共電極線還需配置相應的公共電極線驅動電路，也造成一定程度的成本增加。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD像素結構，通過取消公共電極線，有效減少由公共電極線引起的相關不良，降低生產中發生像素不良的幾率。

為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD像素結構，包括位于像素區域的薄膜晶體管、柵線、數據線和像素電極，所述柵線位于像素區域的中部，與所述像素電極形成存儲電容，所述數據線相對于柵線垂直設置，位于像素區域的一側，至少一個所述薄膜晶體管形成在所述柵線和數據線的交叉處，且與所述像素電極連接。

進一步地，所述薄膜晶體管為二個，均與所述像素電極連接。

所述二個薄膜晶體管可以分別位于所述柵線的上方和下方，所述二個薄膜晶體管也可以均位于所述柵線的上方，所述二個薄膜晶體管還可以均位于所述柵線的下方。

在上述技術方案基礎上，所述像素區域的邊緣還形成有至少一個遮擋條。

進一步地，所述遮擋條與所述柵線連接。

本發明提出了一種TFT-LCD像素結構，通過取消公共電極線，由位于像素區域中部的柵線與像素電極形成存儲電容，在保證TFT-LCD正常工作的前提下，有效減少了生產中由于公共電極線引起的相關不良，使生產中不會出現公共電極線與數據線/柵線之間的短路不良，也減小了發生數據線斷路、公共電極線斷路不良的幾率。另外，取消公共電極線還相應減少了公共電極線驅動電路，降低了產品成本。進一步地，本發明通過在一個像素區域內形成了二個薄膜晶體管，且二個薄膜晶體管均與一個像素電極連接，二個薄膜晶體管都能對該像素電極充電，使充電速度大幅度提高，并能保證充電完全，使本發明TFT-LCD像素結構具有響應快的特點。當其中一個薄膜晶體管出現不良時，另外一個薄膜晶體管仍能保證該像素正常工作，使本發明TFT-LCD像素結構具有可靠性高的特點。

下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

圖1為本發明TFT-LCD像素結構第一實施例的結構示意圖；

圖2為本發明TFT-LCD像素結構第二實施例的結構示意圖；

圖3為本發明形成柵電極線和柵線的示意圖；

圖4為本發明形成柵絕緣層、有源層和源漏電極層的示意圖；

圖5為本發明形成TFT溝道的示意圖；

圖6為本發明形成鈍化層的示意圖；

圖7為本發明形成像素電極的示意圖；

圖8為現有技術TFT-LCD像素結構的示意圖。

附圖標記說明：

1-薄膜晶體管；???2-柵線；????????????3-數據線；