[發明專利]基于磁性材料的磁場負磁導率材料電磁響應行為調控方法

有效

• 申請號: 200810056856.5
• 申請日: 2008-01-25
• 公開（公告）號: CN101242021A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 周濟;康雷;趙乾;趙宏杰
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01P7/00
• 分類號: H01P7/00;H01P11/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉萍

1、一種基于磁性材料的磁場負磁導率材料電磁響應行為調控方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)通過理論計算或者計算機軟件模擬，設計所需頻段的開口諧振環；

2)制備上述開口諧振環，并按照一定晶格排列成為電磁諧振頻率為f₀的負磁導率材料；

3)將磁導率在f₀±1/3f₀頻率范圍內、磁場可調的磁性材料加工成為片狀或者棒狀；

4)將上述磁性材料引入到開口諧振環陣列的間隙當中或直接作為開口諧振環基板，制備得到引入磁性材料的開口諧振環負磁導率材料；

5)通過磁鐵或電磁鐵向上述引入了磁性材料的負磁導率材料施加垂直于開口諧振環所在平面法線與電磁波傳播方向構成平面的不同強度磁場，得到具有以下電磁響應行為調控規律的磁場可調負磁導率材料；

設引入的磁性材料為共振頻率為f_H0的磁性材料；0磁場時，引入磁性材料后的負磁導率諧振頻率為f₁且其諧振峰寬度為Δf₁；當磁場由0Oe增大至使f_H0＜f₁-1/2Δf₁成立的磁場強度時，相對于0磁場情況，負磁導率材料諧振頻率隨磁場增大而加速向高頻移動且諧振強度變化較小；相應負磁導率頻率范圍由于諧振頻率向高頻連續變化而拓寬；

當磁場在滿足使(f₁-1/2Δf₁)≤f_H0≤(f₁+1/2Δf₁)成立的磁場強度范圍內時，通過控制環境有效磁導虛部實現磁場負磁導率開關；

當磁場強度繼續增大時，相對于0磁場情況，負磁導率材料諧振頻率由低于f₁的頻率減速向高頻移動且最終趨于0磁場諧振頻率，諧振強度變化較小；其負磁導率頻率范圍由于諧振頻率連續變化而拓寬。