[發(fā)明專利]具有巨大介電調(diào)諧效應的鐵電材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810056212.6 | 申請日: | 2008-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN101215151A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫陽;李長輝;成昭華 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | C04B35/04 | 分類號: | C04B35/04;C04B35/34;C04B35/38;C04B35/40;C04B35/45;C04B35/453;C04B35/50 |
| 代理公司: | 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 尹振啟 |
| 地址: | 100080北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 巨大 調(diào)諧 效應 材料 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鐵電材料,尤指一種在室溫下介電調(diào)諧率很高的鐵電材料。
背景技術(shù)
鐵電材料具有較高的介電常數(shù)和較大的介電調(diào)諧率,利用這些特性,可以發(fā)展很多電子器件,如電調(diào)諧濾波器,電調(diào)諧振天線,移相器,介電放大器,可調(diào)電容器等等。目前用于介電調(diào)諧的鐵電材料如BaxSr1-xTiO3,需要外加較大的偏置電場(約幾十千伏/厘米)才能產(chǎn)生足夠大的介電調(diào)諧量。對于多晶或單晶體材料,這意味著需要外加上千伏的直流電壓才能夠產(chǎn)生有效的介電調(diào)諧,因此對實際應用有很大的限制。此外,大部分鐵電材料僅在低溫下表現(xiàn)出較大的介電調(diào)諧效應,而在室溫附近具有大的介電調(diào)諧效應的材料很少。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種在室溫下利用很小的偏置電場便能夠產(chǎn)生有效的介電調(diào)諧的鐵電材料。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明一種具有巨大介電調(diào)諧效應的鐵電材料,其化學式為(Lu1-xRx)(Fe2-yMy)O4,其中R為重稀土元素,M為過渡金屬元素,0≤x≤1,0≤y≤1,x,y表示原子百分比含量。
進一步,所述重稀土元素為Ho、Er、Tm、Yb或者Y。
進一步,所述過渡金屬元素為Mn、Co、Cu、Zn或者Mg。
進一步,所述鐵電材料的化學式為LuFe2O4。
進一步,所述鐵電材料的具體形式為多晶陶瓷、單晶或者薄膜。
本發(fā)明提供一種具有巨大介電調(diào)諧效應的鐵電材料,在室溫下該鐵電材料具有很高的介電常數(shù)(>10000),同時,在其上外加很小的偏置電場就可以產(chǎn)生較大的介電調(diào)諧量,并且所述鐵電材料可以保證在室溫附近較寬的溫度區(qū)間內(nèi)可以產(chǎn)生較大的介電調(diào)諧量,因此,本發(fā)明在工業(yè)應用上具有極大的價值。
附圖說明
圖1為樣品的介電常數(shù)在零偏置電場和50V/cm偏置電場下隨溫度的變化關(guān)系;
圖2為樣品的介電常數(shù)在室溫下(300K)隨偏置電場的變化關(guān)系;
圖3為樣品的相對介電調(diào)諧率隨溫度和頻率的變化關(guān)系。
具體實施方式
本發(fā)明的具有巨大介電調(diào)諧效應的鐵電材料采用固相反應法在真空中燒結(jié)制備。用粉末X射線衍射法對制備的樣品進行結(jié)構(gòu)和物相分析,表明樣品具有很好的單相。用ZM2353型阻抗分析儀測量樣品的介電性能,測量頻率從10kHz至200kHz。直流偏置電場由一個Keithley?2400型電壓源提供。測量溫度從100K到320K,由一個超導量子干涉儀控溫系統(tǒng)控制。
實施例1:制備LuFe2O4多晶樣品
將2.8370克純度為99.99%的Lu2O3,1.8975克純度為99.9998%的Fe2O3,和0.2654克純度為99.99%的Fe粉末混合,攪拌研磨至均勻,用粉末壓片機壓片成型,放入石英管中,抽真空密封,在1100℃燒結(jié)48小時,隨爐自然冷卻到室溫。用粉末X射線衍射法對制備的多晶樣品進行結(jié)構(gòu)和物相分析,表明生成的LuFe2O4樣品具有很好的單相。
所測LuFe2O4樣品的介電常數(shù)隨溫度的變化如圖1所示。樣品在室溫附近具有很高的介電常數(shù)。外加一個很小的直流偏置電場(50V/cm),介電常數(shù)被極大地降低。
所測LuFe2O4樣品的介電常數(shù)在室溫下隨外加偏置電場的變化如圖2所示。隨外加偏置電場的增加,介電常數(shù)迅速下降。
所測LuFe2O4樣品的相對介電調(diào)諧率隨溫度和頻率的變化如圖3所示。在室溫附近很寬的溫區(qū)內(nèi),相對介電調(diào)諧率都保持一個很高的值(>30%)。
實施例2:制備YbFe2O4多晶樣品
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