[發明專利]一種逆向照明接近接觸納米光刻裝置

無效

• 申請號: 200810056085.X
• 申請日: 2008-01-11
• 公開（公告）號: CN101216683A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 楊勇;胡松;姚漢民;唐小萍;邢薇;趙立新;張春梅;嚴偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B27/09;G03F1/00
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司
• 代理人: 賈玉忠;盧紀

1.一種逆向照明接近接觸納米光刻裝置，其特征在于包括：基片、光刻膠、金屬掩模版和均勻準直照明系統；在基片上面涂有光刻膠，在光刻膠接近接觸放置金屬掩模版，當均勻準直照明系統逆向照明，從基片側向入射到基片上，在光刻膠和金屬掩模版之間由于介電常數的匹配而激發了表面等離子體波，該表面等離子體波具有局部增強效應，通過表面等離子體波的傳播，可以在不需要改動照明系統就將可以接近接觸放置的金屬掩模版上的圖形轉移到光刻膠上，實現超衍射納米光刻目的，以極低成本實現納米量級圖形的制作。

2.根據權利要求1中所述的逆向接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的均勻準直照明系統由光學照系統、均勻準直透鏡組、第一反射鏡和第二反射鏡組成，由光學照明系統發出的光，經過第一反射鏡反射后匯聚到均勻準直透鏡組上，均勻準直透鏡組使發散的光線變成均勻準直的平行光后，由第二反射鏡反射到基片的上表面。

3.根據權利要求2中所述的逆向接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的光學照明系統由光源和橢球反射鏡組成，由光源發出的光為i線、或g線或更長波長的光，由橢球反射鏡反射后，再由第一反射鏡反射后匯聚到均勻準直透鏡組上。

4.根據權利要求2中所述的逆向接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的均勻準直透鏡組由均勻準直透鏡、濾光片和、積分鏡和場鏡組成，均勻準直透鏡使發散的光線變成均勻準直的平行光，再依次經過濾光片、積分鏡和場鏡作用后變成質量較好的準直平行光，最后由第二反射鏡反射到基片上表面。

5.根據權利要求1中所述的逆向接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的金屬掩模版的材料為金、或銀、或銅。

6.根據權利要求1或5中所述的逆向照明接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的金屬掩模版層的厚度為任意，掩模圖形直接寫在金屬表面即可。

7.根據權利要求1中所述的逆向照明接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的金屬掩模版和光刻膠之間的距離從0到150納米之間變化，對準標記可以同時制作在掩模版和基片上。

8.根據權利要求1中所述的逆向照明接近接觸納米光刻裝置，其特征在于：所述的光刻膠6是由對短波長敏感的高分辨力光致抗蝕劑組成，正性、或負性均可，其厚度在0-150nm之間。