[發明專利]一種含有可逆二硫鍵的注入式人工晶狀體材料及制備方法無效
| 申請號: | 200810056067.1 | 申請日: | 2008-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN101214392A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發明(設計)人: | 楊槐;牛國光;張紅斌;宋黎;李發勝;鄭裕東 | 申請(專利權)人: | 北京科技大學 |
| 主分類號: | A61L27/18 | 分類號: | A61L27/18;A61F2/16;C08F226/10;C08F220/56;C08F8/00 |
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| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 含有 可逆 二硫鍵 注入 人工 晶狀體 材料 制備 方法 | ||
1.一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料,其特征在于是采用含有可逆二硫鍵的N,N二丙酰胱胺——BAC作為交聯劑,用N-乙烯基吡咯烷酮——NVP作為共聚單體,與丙烯酰胺——AAm進行聚合而得到注入式人工晶狀體材料,注入式人工晶狀體材料中NVP濃度為45-90mol%,AAm濃度為8-45mol%,BAC濃度為1-2mol%。
2.如權利要求1中所述的一種含有可逆二硫鍵的注入式人工晶狀體材料,其特征是制備方法上采用溶液聚合方法將N-乙烯基吡咯烷酮——NVP、丙烯酰胺——AAm和N,N-二丙酰胱胺——BAC共聚形成水凝膠ANSS;BAC作為交聯劑,使材料中含有二硫鍵,過硫酸胺——APS和四甲基乙二胺——TEMED作為引發劑,水凝膠ANSS中BAC的摩爾百分比為1.0-2.0%,APS摩爾百分比為1.0-1.5%,余量為NVP與AAm;NVP與AAm的摩爾比例從50∶50到90∶10;ANSS提純后去除未反應單體、光引發劑,然后加入二硫蘇糖醇--DTT將共聚物中的二硫鍵切斷,形成水溶性高分子ANSH,經提純后,將ANSH制備成水溶液,加入鏈交換劑或在空氣氧化,硫醇變成二硫鍵,水溶液形成凝膠,制備出注入式的人工晶狀體。
3.如權利要求2中所述的一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料制備方法,其特征在于溶液聚合方法所選的溶劑為20-30.0wt%的乙醇水溶液。
4.如權利要求2中所述的一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料制備方法,其特征在于ANSS的提純,采用浸泡的方式,所用溶劑為水,浸泡時間為5-8天。
5.如權利要求2中所述的一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料制備方法,其特征在于ANSS中二硫鍵的切斷,所用試劑為DTT,DTT含量為BAC摩爾含量的5-10倍,溶液pH范圍為3.5-10.0。
6.如權利要求2中所述的一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料制備方法,其特征在于ANSH的提純采用沉淀的方法,所用溶劑為丙酮、甲醇、乙醚、石油醚、正己烷,所用溶劑為ANSH溶液的5-20倍。
7.如權利要求2中所述的一種含有二硫鍵的注入式人工晶狀體材料制備方法,其特征在于硫醇基團重新生成二硫鍵形成凝膠,所用鏈交換劑為二硫代二丙酸—DTDP,DTDP的量與高分子中硫醇量的比例從0.0到100.0%。
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