[發明專利]一種用于超高密度垂直磁記錄介質的制備方法

無效

• 申請號: 200810056065.2
• 申請日: 2008-01-11
• 公開（公告）號: CN101217041A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 于廣華;馮春;滕蛟;李寶河;李明華
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/851
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于超高密度垂直磁記錄介質的制備方法，利用磁控濺射，其特征是在干凈的MgO(001)單晶基片上交替沉積[鐵鉑FePt(5～20)/金Au(2.5～7)]_5～10多層膜，基片溫度為100～450℃，濺射室本底真空度為1×10^-5～7×10^-5Pa，濺射時氬氣壓為0.9～1.6Pa；沉積完畢后，將薄膜降至室溫，再放入真空退火爐中進行熱處理，退火溫度為470～700℃，退火時間為20分鐘～4小時，退火爐本底真空度為2×10^-5～7×10^-5Pa。

2.如權利要求1所述的用于超高密度垂直磁記錄介質的制備方法，其特征是所述的在MgO(001)單晶基片交替沉積時，首先沉積FePt層，并以9r/min～36r/min的速率旋轉。