[發(fā)明專(zhuān)利]一種在透射電子顯微鏡中原位測(cè)量納電子器件性質(zhì)的樣品臺(tái)系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810055675.0
• 申請(qǐng)日: 2008-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101275895A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉開(kāi)輝;白雪冬;王恩哥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G01N13/10
• 分類(lèi)號(hào): G01N13/10;G01R31/00
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 尹振啟

1、一種在透射電子顯微鏡中原位測(cè)量納電子器件性質(zhì)的樣品臺(tái)系統(tǒng)，包括主要由半導(dǎo)體芯片和芯片載臺(tái)組成的樣品臺(tái)前端頭、中空的樣品桿、以及設(shè)置在樣品桿末端的絕緣穿通，其中，半導(dǎo)體芯片上的電極由經(jīng)過(guò)中空樣品桿的導(dǎo)線電連接到所述絕緣穿通的外連接導(dǎo)線上。

2、如權(quán)利要求1所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片載臺(tái)具有設(shè)置于樣品測(cè)試區(qū)域的槽和槽內(nèi)供電子束通過(guò)的通孔；所述芯片含有1個(gè)或多個(gè)狹縫；芯片設(shè)置在芯片載臺(tái)的槽內(nèi)，芯片厚度與芯片載臺(tái)的槽深度和TEM電子束聚焦中心位置相匹配，使TEM電子束可以正常通過(guò)芯片狹縫和芯片載臺(tái)通孔并聚焦在橫跨芯片狹縫的納電子器件上。

3、如權(quán)利要求2所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片載臺(tái)的邊緣和中部帶有供連接芯片電極用的導(dǎo)線通過(guò)的邊緣槽和中間槽。

4、如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片材料為半導(dǎo)體材料，可以是硅、鍺、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、氧化鋅。

5、如權(quán)利要求2所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片的上表面和狹縫表面含有介電層，所述介電層的材料為二氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧化鉿。

6、如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片的狹縫兩側(cè)設(shè)置有微電極，用于與橫跨狹縫的納米材料進(jìn)行電接觸，微電極設(shè)置在納米材料上方或者設(shè)置在納米材料的下方，微電極材料為Rh，Pd，Rh/Au，Pd/Au，Ti/Au，W/Pt，Cr/Pt，Ni/Pt。

7、如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述樣品臺(tái)的樣品桿為中空的樣品桿，供導(dǎo)線通過(guò)。

8、如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述絕緣穿通為真空密封結(jié)構(gòu)，并帶有多路可與外部連通且相互絕緣的外連接導(dǎo)線。

9、如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)線一端與納電子器件的電極連接，另一端與所述絕緣穿通的外連接導(dǎo)線連接。

10、一種如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的樣品臺(tái)系統(tǒng)的用途，用于原位研究納電子器件微觀結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的關(guān)系，或者用于原位地、動(dòng)態(tài)地研究在外加電信號(hào)下，納米材料、普通材料的壓電、鐵電、離子型導(dǎo)電引起的微觀結(jié)構(gòu)的變化。