[發明專利]一種用于測量高反射率的裝置

有效

• 申請號: 200810055653.4
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101261181A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 李斌成;龔元;韓艷玲
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02;G01N21/55
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司
• 代理人: 賈玉忠;盧紀

1、一種用于測量高反射率的裝置，其中：光電探測器(7)將光信號轉換成的電信號，由數據采集卡(8)記錄并輸入計算機(9)處理及存儲，計算機(9)控制數據采集卡(8)的采樣率、采集數據點長度以及采集電壓最大幅值；其特征在于：入射腔鏡(3)和出射腔鏡(5)與平面高反鏡(4)共同構成穩定的光學諧振腔作為初始衰蕩腔，入射腔鏡(3)和平面高反鏡(4)位于同一直線上，構成初始衰蕩腔的入射臂，出射腔鏡(5)和平面高反鏡(4)位于另一條直線上，構成初始衰蕩腔的出射臂，總腔長為L，入射臂和出射臂之間的夾角為θ；測試時，由光源(1)發出的光束經匹配透鏡(2)進入上述衰蕩光腔，會聚透鏡(6)和光電探測器(7)置于平面高反鏡(4)后搜集和探測出射的光束；由光腔衰蕩技術探測并通過計算機(9)擬合得到初始腔衰蕩時間τ₁；然后在出射臂插入待測平面高反鏡(14)，調節出射腔鏡(5)，形成穩定的測試腔，再由光腔衰蕩技術探測并通過計算機(9)擬合得到測試腔衰蕩時間τ₂；通過待測平面高反鏡的反射率公式計算，便可得到待測平面高反鏡的反射率。

2、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：光源(1)可采用光強可調制的連續半導體激光器，此時函數發生卡(10)與計算機(9)相連，計算機(9)控制函數發生卡(10)的調制頻率、調制振幅以及偏置電壓，函數發生卡(10)輸出的方波函數用于調制光源(1)所采用的半導體激光器的激勵電壓。

3、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：光源(1)也可采用脈沖激光器，此時不需要函數發生卡(10)來調制光源(1)，光源(1)直接輸出激光脈沖。

4、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：所述的光源(1)的激光波長若不在可見波段，則利用反射鏡(12)和分光鏡(13)引入準直光束激光器(11)發出的可見激光束，用于調節衰蕩腔。

5、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：所述的會聚透鏡(6)和光電探測器(7)搜集和探測平行于入射臂方向或出射臂方向的出射激光束或同時搜集和探測兩個方向的出射激光束。

6、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：所述的入射臂比出射臂短，兩者之間的夾角θ滿足5°≤θ≤45°。

7、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：所述的入射腔鏡(3)的反射率R₁和平面高反鏡(4)的反射率R₂滿足0.998≤R₁≤0.9999，0.998≤R₂≤0.9999，出射腔鏡(5)的反射率R₃滿足R₃≥0.9995，并且出射腔鏡(5)的反射率R₃高于入射腔鏡(3)的反射率R₁和平面高反鏡(4)的反射率R₂。

8、根據權利要求1所述的一種用于測量高反射率的裝置，其特征在于：所述在出射臂插入待測平面高反鏡(14)后所形成的測試角度α，即插入的待測平面高反鏡(14)的法線方向與初始衰蕩腔出射臂的夾角α為1-85度。