[發明專利]多反應腔原子層沉積裝置和方法

無效

• 申請號: 200810055628.6
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101215692A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 嚴利人;劉志弘;劉朋;竇維治;韓冰
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司
• 代理人: 史雙元

1.一種多反應腔的原子層沉積裝置，其特征在于，所述多反應腔的原子層沉積裝置為A、B兩相反應的反應腔通過一個過渡腔并聯在一組真空泵組上；A、B兩反應室各自通過通道閥門和過渡腔連通，反應腔再通過真空閥、貯存室隔板和貯存室相通，在貯存室上部設置反應物進氣閥。

2.根據權利要求1所述多反應腔的原子層沉積裝置，其特征在于，所述貯存室利用貯存室隔板來調節貯存室的有效容積，既可以在反應進行時，減少貯氣量，使得反應氣體都用來進行反應；又可以在一相反應結束時，擴大貯氣量，減少排出裝置的反應源的量，達到節約和環保的目的。

3.一種多反應腔的原子層沉積方法，其特征在于，所述多反應腔的原子層沉積方法是在該裝置內，集成電路的圓片在A、B反應腔之間經過通道閥門來回傳送，傳送至A反應腔時將發生A相反應，傳送至B反應腔時將發生B相反應，A、B兩相反應交替進行，將在圓片表面逐原子層地生長出集成電路所要求厚度的納米薄層或復合結構材料。