[發(fā)明專利]一種長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810055626.7
• 申請(qǐng)日: 2008-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101246123A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃翊東;饒軼;劉仿;張巍;彭江德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N21/41
• 分類號(hào): G01N21/41
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 史雙元

1.一種長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片結(jié)構(gòu)為由金屬薄膜或條形金屬，上下表面為富硅氧化硅SiO_x、SiO₂或苯并環(huán)丁烯BCB以及介質(zhì)緩沖層組成；介質(zhì)緩沖層富硅氧化硅SiO_x或富硅氮化硅SiN_y附著在金屬薄膜或條形金屬上，金屬薄膜或條形金屬和介質(zhì)緩沖層夾在兩層SiO_x、SiO₂或BCB中間，并在SiO_x、SiO₂或BCB上層表面開(kāi)孔作為測(cè)量槽，其中0＜x＜2、0＜y＜4/3；所有結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)在Si襯底，GaAs襯底，InP襯底或SiO₂襯底上；該芯片通過(guò)從該金屬薄膜或條形金屬端面激勵(lì)的方法產(chǎn)生長(zhǎng)程表面等離子波，通過(guò)測(cè)定該長(zhǎng)程表面等離子波的傳輸損耗變化或/和光斑尺寸大小變化來(lái)檢測(cè)測(cè)量槽內(nèi)液體折射率變化或生物抗體抗原反應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述金屬薄膜或條形金屬中的金屬是金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻中的任何一種，厚度為10nm～100nm，條形金屬寬度為2μm～20μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述介質(zhì)的折射率為1.2～3.8，該介質(zhì)厚度為1μm～20μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述介質(zhì)緩沖層為SiO_x或SiN_y，折射率為1.2～3.8，該介質(zhì)厚度為1nm～5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述SiO₂厚度為1μm～20μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述長(zhǎng)程表面等離子波折射率檢測(cè)芯片，其特征在于，所述BCB厚度為1μm以上。