[發明專利]基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法

無效

• 申請號: 200810054697.5
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101244802A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 呂樹海;楊擁軍;徐永青;齊榮巧
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: B81C3/00
• 分類號: B81C3/00;B81C1/00
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務所
• 代理人: 王文慶

1、一種基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于其加工過程包括：在符合硅硅鍵合要求的單晶硅片上刻蝕出一定深度的腔體，將上述所得的帶有腔體的單晶硅片與另一片單晶硅片進行硅硅鍵合，在對應腔體的上面的結構層上刻蝕高深寬比的微機械結構。

2、根據權利要求1所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于所述腔體是刻蝕在作為支撐層的單晶硅片或者作為結構層的單晶硅片的其中一片上，或者是在結構層和支撐層上都刻蝕有對應的腔體。

3、根據權利要求2所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于：在結構層單晶硅片上刻蝕腔體時是在作為結構層(3)的單晶硅片上刻蝕出要求深度的腔體(6)；然后將結構層(3)上具有腔體(6)的一面向下與支撐層(1)的上表面相對并利用硅硅鍵合技術將支撐層(1)和結構層(3)鍵合在一起，再在腔體對應的結構層上制作高深寬比結構。

4、根據權利要求2所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于：在支撐層單晶硅片上刻蝕腔體時是在支撐層單晶硅片上刻蝕出要求深度的腔體(6)，然后將支撐層(1)上具有腔體(6)的一面與作為結構層(3)的單晶硅片相對并利用硅硅鍵合技術將支撐層(1)和結構層(3)鍵合在一起，再在腔體對應的結構層上制作高深寬比結構。

5、根據權利要求2所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于：在結構層和支撐層的單晶硅片上都刻蝕腔體的高深寬比微機械加工方法是在作為結構層和支撐層的單晶硅片上都對應刻蝕出一定深度的腔體，將上述所得的兩個單晶硅片的腔體對準并進行硅硅鍵合，在對應腔體的上面的結構層上刻蝕高深寬比的微機械結構。

6、根據權利要求1所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于所述單晶硅片為雙拋單晶硅片；在刻蝕腔體之前增加在單晶硅片的表面制作掩蔽層的步驟；硅腔體的加工采用濕化學腐蝕或干法刻蝕的其中一種。

7、根據權利要求6所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于所述單晶硅片表面生長氧化層是在每個單晶硅片的鍵合表面生長氧化層或在其中一片單晶硅片的鍵合表面生長氧化層。

8、根據權利要求7所述的基于硅硅鍵合的高深寬比微機械加工方法，其特征在于所述單晶硅片的鍵合表面生長氧化層后，再在其中的任意一片單晶硅片的鍵合表面或兩片單晶硅片的鍵合表面生長一層介質作為鍵合材料。