[發明專利]一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝

有效

• 申請號: 200810054663.6
• 申請日: 2008-03-24
• 公開（公告）號: CN101271844A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 潘宏菽;楊霏;商慶杰;陳昊;馮震;彭明明;秘瑕;李亮;閆銳;蔡樹軍;楊克武
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/311;H01L21/336
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 米文智

1、一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，即在碳化硅器件制備過程中減小器件表面臺階高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使側壁鈍化的工藝，其工藝過程如下：

1)在已經經過臺面刻蝕工藝的材料表面沉積生長絕緣介質薄膜；

2)對沉積絕緣介質后的材料涂敷光刻膠，采用臺面光刻版進行光刻、顯影，去掉高度較高的臺面上的光刻膠，保留高度較低的臺面下凹槽表面的光刻膠；

3)去除高度較高的臺面上的沉積的絕緣介質，實現初步平坦化和側壁鈍化；

4)去掉所有光刻膠，在初步平坦化的材料表面再次沉積介質層，而后將沉積的介質層進行大面積去除，直至高度較高的臺面上的沉積的介質層全部去除，實現最終平坦化和側壁鈍化。

2、根據權利要求1所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述沉積生長的絕緣介質薄膜的材料可以是碳化硅材料、二氧化硅材料、氮化硅材料、氮化鋁材料中的一種或者幾種組合。

3、根據權利要求1或2所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述沉積生長方式可以是化學氣相沉積、物理氣相沉積或磁控濺射中的一種。

4、根據權利要求1所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述去除絕緣介質薄膜材料的方法可以是濕法腐蝕、干法刻蝕或者兩種方法結合使用。

5、根據權利要求1所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述需要平坦化和側壁鈍化的區域包括凹槽、臺階、尖角、直角以及非平滑過渡區域。

6、根據權利要求1所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述最終平坦化是相對的平坦化，即臺階、凹槽的相對高度減小，尖端部位變得圓滑，已不影響器件性能。

7、根據權利要求1所述的一種碳化硅器件制備的平坦化及側壁鈍化工藝，其特征在于所述平坦化工藝過程可以進行一次或者大于兩次的介質層沉積、去除過程，實現最終平坦化。