[發(fā)明專利]磁控管的磁極結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810054041.3 | 申請日: | 2008-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN101640151A | 公開(公告)日: | 2010-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭長青 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金電子(天津)電器有限公司 |
| 主分類號: | H01J23/02 | 分類號: | H01J23/02;H01J25/50 |
| 代理公司: | 天津市宗欣專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 常靜彬 |
| 地址: | 30040*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁控管 磁極 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于磁控管的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過在磁石上設(shè)置金屬磁石保護(hù)片,將磁石的側(cè)壁緊密包圍從而加大磁石的散熱能力,防止磁石因溫度過高發(fā)生破裂的磁控管的磁極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖;圖2是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管外部結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是現(xiàn)有技術(shù)中磁石的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1至圖3所示,磁控管主要包括有:正電極部;負(fù)電極部;磁極部;微波發(fā)射部。正電極部由圓桶形狀的正極外殼11,在正極外殼11的內(nèi)壁上形成有多個(gè)放射狀的葉片12,葉片上下溝槽中焊接內(nèi)外環(huán)構(gòu)成。
負(fù)電極部包括在中心軸上由W(鎢)和TH(釷)元素形成的螺旋形狀并可放射熱電子的燈絲13;在葉片12的末端和燈絲13之間形成使熱電子旋轉(zhuǎn)的作用空間14;為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中心軸上下方向脫離,在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16;為了支撐燈絲13及引入電源,設(shè)計(jì)了貫通下部密封件16并連接上部密封件15的燈絲中央導(dǎo)桿17和與中央導(dǎo)桿17一起引入電源并連接下部密封件16的側(cè)面導(dǎo)桿18。
磁極部包括固定在正極外殼11的上端和下端并能形成磁通的上磁極20,下磁極21;為了能使作用空間14上形成磁場,在上磁極20的上端和下磁極21的下端安裝磁石22,磁石為環(huán)狀結(jié)構(gòu)且有一定厚度。
此外,還有貫通陶瓷部件31并連接燈絲中央導(dǎo)桿17一端和側(cè)面導(dǎo)桿18一端進(jìn)行濾波功能的濾波線圈32;連接濾波線圈32,并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器33;形成在上磁極20的上部和下磁極21的下部進(jìn)行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42;為了在作用空間14里產(chǎn)生的高頻波發(fā)射到外部,設(shè)有連接在葉片12并貫通上磁極20和上部密封室41中央引出來的天線51;為了冷卻在作用空間14里產(chǎn)生并通過葉片12傳遞的熱量,設(shè)置有冷卻片61;另外還有把冷卻片61保護(hù)在內(nèi)部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。
外殼19包括從上側(cè)容納內(nèi)部裝置的上殼19a和從下側(cè)容納內(nèi)部裝置的下殼19b。
圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后,進(jìn)行排氣工序時(shí)為了把磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。
下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁石22產(chǎn)生的磁場通過上磁極20和下磁極21形成磁通時(shí),在葉片12和燈絲13之間形成磁場。當(dāng)通過電容器33進(jìn)行通電的時(shí)候,燈絲13在大約2000K溫度下放射熱電子,熱電子在燈絲13與正電極部之間的4.0KV到4.4KV和在磁石22產(chǎn)生的磁場的作用下的作用空間14進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
這樣,在通過中央導(dǎo)桿17和側(cè)面導(dǎo)桿18向燈絲13通電的時(shí)候,在葉片12和燈絲13之間產(chǎn)生2450MHZ左右的電場,使熱電子在作用空間14內(nèi)通過電場和磁場的作用下變成諧波,并使諧波傳遞到連接葉片12的天線51發(fā)射到外部。
但是,現(xiàn)有技術(shù)中存在以下問題:
現(xiàn)有技術(shù)中磁石直接安裝于磁控管外,沒有裝配任何保護(hù)措施,裸露于外界空間,在裝配完成后的磁控管需要搬運(yùn)或進(jìn)行微波爐成品安裝時(shí),磁石容易因碰撞而造成破裂或破碎。另外,在磁控管工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,通過接觸熱量會(huì)傳導(dǎo)至磁石,由于磁控管的安裝十分緊湊,磁石的外露的面積相對過小,無法及時(shí)將磁石上的熱量向外界傳播,影響磁控管的散熱性能導(dǎo)致磁控管的工作性能下降,而磁石的溫度過高同樣會(huì)引起磁石斷裂造成產(chǎn)品故障。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種通過在磁石上設(shè)置金屬磁石保護(hù)片,將磁石的側(cè)壁緊密包圍從而加大磁石的散熱能力,防止磁石因溫度過高發(fā)生破裂的磁控管的磁極結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:
本發(fā)明的磁控管的磁極結(jié)構(gòu),包括:分別固定在正極外殼的上端和下端且能形成磁通的上磁極和下磁極;為了能使作用空間上形成磁場,對應(yīng)安裝于上磁極上端和下磁極下端的兩塊磁石,磁石上分別設(shè)置有磁石保護(hù)片,磁石保護(hù)片呈圓環(huán)狀,其將磁石的側(cè)壁包圍并與磁石之間緊密固定。
本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施:
所述的磁石保護(hù)片側(cè)壁的高度與磁石側(cè)壁的高度之比為1∶4-1∶1。
所述的磁石保護(hù)片分別設(shè)置于上側(cè)磁石的下部和下側(cè)磁石的上部,兩片磁石保護(hù)片位置相對。
所述的磁石保護(hù)片在磁石的底面或頂面位置向內(nèi)側(cè)延伸,形成限位部。
所述的限位部的寬度為3-6毫米。
所述的限位部上均勻設(shè)置有多個(gè)開口。
所述的限位部上開口的寬度為0.5-3毫米。
所述的磁石保護(hù)片在磁石側(cè)壁位置向外延伸,形成散熱部。
所述的散熱部的寬度為3-8毫米。
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