[發明專利]高速沉積優質本征微晶硅薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200810053846.6
• 申請日: 2008-07-15
• 公開（公告）號: CN101315958A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 耿新華;韓曉艷;侯國付;張曉丹;張德坤;魏長春;孫建;趙穎;薛俊明;張建軍
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/205
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司
• 代理人: 侯力

1、一種高速沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，用于硅基薄膜太陽電池，利用超高頻等離子體增強化學氣相沉積技術，其特征在于：將高速沉積本征微晶硅薄膜的制備過程劃分為至少兩個時間段，所述每個時間段控制在5～20分鐘，所述每個時間段對應一個輸入功率，在所述高速沉積本征微晶硅薄膜的制備過程中，所述輸入功率呈等梯度遞減的規則變化。

2、根據權利要求1所述的高速沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述輸入功率的最大功率與最小功率的差值小于或等于20W。

3、根據權利要求1所述的高速沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述輸入功率降低梯度的取值范圍為1W～10W。

4、根據權利要求3所述的高速沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述輸入功率降低梯度的取值范圍為2W～5W。

5、根據權利要求1所述的高速沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述高速沉積本征微晶硅薄膜的制備過程中，薄膜的沉積速率大于或等于0.5nm/s。