[發(fā)明專利]摻鎵元素太陽能單晶的生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810053398.X
• 申請日: 2008-06-03
• 公開（公告）號: CN101319364A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈浩平;汪雨田;尚偉澤;李翔;高樹良;李海靜;高潤飛
• 申請（專利權(quán)）人: 天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04
• 代理公司: 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 王鳳英

1、一種摻鎵元素太陽能硅單晶的生產(chǎn)方法，其特征在于：包括摻雜方法和拉晶工藝，其摻雜方法包括：

(1)、擦拭摻雜裝置

在摻雜前，用帶無水乙醇的纖維紙，對摻雜裝置進(jìn)行擦拭；

(2)、冷卻摻雜裝置

預(yù)先將無水乙醇置于溫度為-10℃≤T≤-7℃的冷藏箱里，將蘸上冷藏過的無水乙醇的纖維紙放在摻雜裝置下，每隔1分鐘更換一次，重復(fù)3次到5次，使摻雜裝置溫度降低到5℃—10℃，然后等待放入鎵元素；

(3、鎵元素放入摻雜裝置

將預(yù)先置于冷藏箱里的鑷子取出，用鑷子迅速將置于冷藏箱里且預(yù)先稱量好的鎵元素放入摻雜裝置中；

(4)、隔離置換

迅速將置于摻雜裝置下的纖維紙取出，關(guān)上設(shè)備爐門，進(jìn)行手動(dòng)隔離置換，且將隔離置換時(shí)間控制在1分鐘內(nèi)；

(5)、摻入熔料中

隔離置換完成后，打開隔離翻板閥，通過連桿推出摻雜裝置并將其翻轉(zhuǎn)，將固態(tài)的鎵元素倒入熔料內(nèi)，即完成摻雜過程；

拉晶的工藝步驟如下：

(1)、引晶：

待爐內(nèi)熔體溫度達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后，進(jìn)行烤晶、熔接籽晶、拉細(xì)頸，細(xì)頸直徑控制在3mm—6mm，細(xì)頸長度控制在180mm—300mm，引晶拉速控制在5—10mm/min；

(2)、放肩：

細(xì)頸長度與直徑滿足要求后，開始放肩，放肩時(shí)拉速下降至0.3～0.6mm/min；

(3)、轉(zhuǎn)肩：

當(dāng)放肩直徑接近預(yù)定目標(biāo)時(shí)，開始調(diào)整堝升電位器，啟動(dòng)堝升，堝升比例1.0∶0.128，轉(zhuǎn)肩過程中提升拉速，拉速提升至1.5mm/min，當(dāng)單晶轉(zhuǎn)肩直徑為要求直徑時(shí)，開始進(jìn)入單晶等徑生長狀態(tài)；

(4)、等徑：

完成轉(zhuǎn)肩過程后，穩(wěn)定晶升速度，使單晶頭部拉速控制在0.8-1.6mm/min，尾部拉速控制在0.5～2.0mm/min；

(5)收尾：

堝升電位器調(diào)零，手動(dòng)調(diào)整拉速進(jìn)行收尾，收尾最小直徑控制在8mm以內(nèi)；

(6)停爐：將晶體提起離開液面，關(guān)閉“加熱”開關(guān)、晶升、晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)、堝升電源，停充氬氣，即完成拉晶的工藝過程。