[發明專利]PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基發光管無效
| 申請號： | 200810052779.6 | 申請日： | 2008-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN101257078A | 公開（公告）日： | 2008-09-03 |
| 發明（設計）人： | 李曉云;郭維廉;牛萍娟;劉偉;楊廣華;高鐵成 | 申請（專利權）人： | 天津工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300160天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | perl passivated emitter rear locally diffused 型硅基 | ||
【權利要求書】：
1.一種PERL型硅基發光管，結構包括Al正負電極、Al背反射電極、倒金字塔絨面結構、輕摻雜n型層、高質量的SiO2鈍化層、重摻雜電極接觸孔。
2.根據權利要求1所述的PERL型硅基發光管，其特征在于通過改進PERL型太陽能電池結構實現側面小面積發光的PERL型硅基發光管，利用p-n結正向注入原理實現硅基發光，所設計器件可以與CMOS工藝兼容。
3.根據權利要求1所述的PERL型硅基發光管，其特征在于器件結構采用了PERL型側面單邊發光結構，左側為Al反射背電極，右側為倒金字塔絨面發光結構，金屬背反射電極和倒金字塔絨面結構形成光陷阱，提高出光效率。
4.根據權利要求1所述的PERL型硅基發光管，其特征在于在電極與半導體材料之間采用高質量的SiO2鈍化，減少表面復合，增強輻射復合幾率；同時Si/SiO2/Al電極結構可形成全內反射層以阻止光從器件上下表面出射，增強側面出光效率。
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