[發明專利]多元共蒸發制備銦鎵銻類多晶薄膜的方法

有效

• 申請號: 200810052489.1
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101245442A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 孫云;喬在祥;李勝林;何青;張德賢;周志強
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/14;C23C14/54
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司
• 代理人: 侯力

1、一種多元共蒸發制備銦鎵銻類多晶薄膜的方法，其特征在于該方法包括：

第一、將清洗干凈并干燥的襯底與銦源、鎵源、銻源蒸發源置入真空鍍膜系統的鐘罩內抽真空；

第二、待真空鍍膜系統內的氣壓降到3.0×10^-3Pa以下，將襯底均勻加熱至200-600℃之間，并保持這一襯底溫度；

第三、同時打開銦源、鎵源、銻源蒸發源的加熱電源，分別控制銻源、鎵源和銦源的蒸發溫度，在銻源蒸發溫度300-500℃的設定基礎上，調節鎵源蒸發溫度400-1200℃和銦蒸發源溫度500-1300℃，使其對應于不同的鎵源和銦源蒸發速率；待蒸發源溫度恒定后，進行銦鎵銻多晶薄膜的共蒸發或分步蒸發，當材料為銻化鎵時，材料的禁帶寬度為0.72eV，當材料為銻化銦時，材料的禁帶寬度為0.18eV，調節鎵源和銦源的不同蒸發溫度，得到不同鎵含量的銦鎵銻類多晶薄膜，從而調節薄膜材料的禁帶寬度在0.18eV至0.72eV之間。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于第三步得到的銦鎵銻類多晶薄膜為銻化鎵、銻化銦或銦鎵銻多晶薄膜。

3、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述的蒸發源采用坩鍋、蒸發舟、或線性條形源，通過電阻或高頻加熱方式對蒸發源進行加熱，使各個元素蒸發；蒸發源內設有耐高溫熱電偶作為溫度傳感器，對蒸發源進行溫度控制。

4、根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述的蒸發源由高熔材料鎢、鉬、鉭、氧化鋁、二氧化硅、氮化硼、碳化硅、或石墨制成。

5、根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述的蒸發源上方設置有可移動擋板，用于控制蒸發元素的蒸發量。

6、根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述的蒸發源放置在襯底之下，由下至上將元素蒸發到襯底上；或將蒸發源放置在襯底之上，由上至下將元素蒸發到襯底上。

7、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述的襯底材料為玻璃、陶瓷、金屬或耐高溫的高分子聚合物。