[發明專利]脈沖寬度頻率調節模式DC/DC升壓電路

無效

• 申請號: 200810052442.5
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101505096A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 褚以人
• 申請（專利權）人: 天津英諾華微電子技術有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所
• 代理人: 李素蘭

1.一種脈沖寬度頻率調節模式DC/DC升壓電路，利用脈沖寬度和脈沖頻率兩種調節模式的結合，將一直流電壓源轉換成電壓高于此直流電壓源的穩定輸出的另一直流電壓，該升壓電路包括電壓產生電路、控制電流產生電路、脈沖頻率調節的脈沖頻率調節模塊及進行直流輸入電壓的脈沖寬度調節的脈沖寬度調節模塊，所述脈沖頻率調節的脈沖頻率調節模塊用以控制NMOS、PMOS功率開關管的開/合邏輯，其特征在于，所述脈沖寬度調節模塊中：

誤差電流作為PMOS功率開關管的輸入信號和發生器的輸入端相耦合，其中誤差電流I_in是采樣電壓V_sample和參考電壓V_ref的差值形成誤差電壓V_err，通過電導放大器GM轉換而形成，升壓電路的輸出電壓通過采樣電阻得到采樣電壓V_sample，I_in和I_dc1共同控制PMOS功率開關管的開啟時間，采樣電壓低于參考電壓越多，I_in越大，PMOS功率開關管的開啟時間越短，以此來調節輸出的脈沖寬度，提高輸出電壓；

所述NMOS功率開關管的開啟時長恒定，只與輸入電壓V_in有關，如下式所示：

T_n＝K₂·R·V_ref/V_in

式中，T_n為NMOS功率開關管的開啟時長，K₂，R為常量參數；

所述PMOS功率開關管的開啟時長與I_in和I_dc1有關，如下式所示：

T_p＝K₁·V_ref/(I_dc1+I_in)

式中，T_p為PMOS功率開關管的開啟時長，K₁為常量參數；

I_dc1為輸出電壓與輸入電壓的差成正比的電流，其計算公式為：

I_dc1＝K·(V_out-V_in)

式中，K為常量參數。

2.如權利要求1所述的脈沖寬度頻率調節模式DC/DC升壓電路，其特征在于，所述直流輸入電壓V_in通過一個線圈與NMOS、PMOS功率開關管相耦合。