[發明專利]可控碳含量的含硅陶瓷和制備方法

無效

• 申請號: 200810052105.6
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN101215154A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 李亞利;梁田;杜賀寶;侯峰;譙曉花
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C04B35/14
• 分類號: C04B35/14;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/63
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司
• 代理人: 趙敬

1.一種可控碳含量的含硅陶瓷，其特征在于它是以有機硅烷前驅體為原料在含有水汽條件下對其加熱熱解制備而成，含碳重量百分比1～15％；

所述的有機硅烷前驅體包括以Si-O、Si-N或Si-C為主鏈或骨架結構的有機聚合物的一種或幾種的混合物，熱解陶瓷產率至少50％。

2.根據權利要求1所述的可控碳含量的含硅陶瓷，所述的有機硅烷前驅體包括以Si-O、Si-N或Si-C為主鏈或骨架結構的有機聚合物，在600℃以上加熱，陶瓷產率至少為50％的有機硅前驅體；該有機硅烷前驅體可為一種或幾種的混合。

3.根據權利要求1所述的可控碳含量的含硅陶瓷，其特征在于所述的含硅陶瓷為SiC，SiCN，SiOC，SiOCN或含金屬或其它陶瓷相的低碳陶瓷，包括SiBCN，SiAlCN，SiTiCN，SiBCNO，SiCN-SiC，SiCN-TiC。

4.權利要求1所述的可控碳含量的含硅陶瓷的制備方法，其特征在于包括的步驟：

將有機硅烷前驅體加入反應器中，通入惰性氣體或活性氣體，升溫到100～1000℃，通入水汽，分壓比0.01～0.5。

5.按照權利要求4所述的可控碳含量的含硅陶瓷的制備方法，其特征在于所述的有機硅烷是聚甲基氫硅氧烷、乙烯基硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。

6.按照權利要求4所述的可控碳含量的含硅陶瓷的制備方法，其特征在于所述的有機硅烷是聚硅氮烷或聚碳硅烷。

7.按照權利要求4所述的可控碳含量的含硅陶瓷的制備方法，其特征在于在水汽中可以混入惰性氣體是氬氣，活性氣體：氮氣，氫氣，最佳混入氬氣。

8.按照權利要求4所述的可控碳含量的含硅陶瓷的制備方法，其特征在于在有機前驅體中加入含金屬有機物或其他無機物，包括鐵粉、鈦粉、氮化硼納米粉、硝酸鐵。

9.權利要求1所述的可控碳含量的含硅陶瓷應用于制造航空航天、精密電子和機械加工器件。