[發(fā)明專利]一種制作薄膜晶體管溝道區(qū)以及源、漏電極的新方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810051657.5
• 申請日: 2008-12-24
• 公開（公告）號: CN101431025A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發(fā)明（設計）人: 楊小天;王超;任偉;趙春雷;唐巍;郝志文;陳偉利;杜國同;盧毅成;荊海;曹健林;付國柱
• 申請（專利權）人: 吉林建筑工程學院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 吉林長春新紀元專利代理有限責任公司
• 代理人: 魏征驥

1.一種制作薄膜晶體管溝道區(qū)以及源、漏電極的新方法，包括下列步驟：

一、涂膠：把已生長好溝道層材料的片子置于勻膠機的轉盤上，旋轉涂膠，每分鐘2500-3000轉，使光刻膠均勻涂覆在溝道層的表面；

二、前烘：烘烤溫度88～92℃、時間10～20min；

三、曝光：在涂好光刻膠的溝道層表面覆蓋掩膜版，曝光；正膠的曝光部分發(fā)生光化學反應；負膠的曝光部分發(fā)生交聯(lián)反應；

四、顯影：正膠的曝光部分在顯影液中溶解，被去除，負膠的未曝光部分在顯影液中溶解，被去除；正膠顯影后的圖形和掩模版相同，負膠顯影后的圖形和掩模版相反；

五、鏡檢：膠膜圖形應線條齊、陡，套刻或晶向準確，無變形、鉆蝕、針孔及損傷，若有以上缺陷，返工；

六、后烘：又稱堅膜，后烘溫度130～150℃，時間18～25min；

七、腐蝕：將溝道層未被光刻膠保護的部分腐蝕去掉；

八、用丙酮將未曝光的光刻膠溶解掉；

九、用雙面膠將經(jīng)光刻、腐蝕后的片子粘到載玻片上，輕微放置，以便于后續(xù)調整；根據(jù)擬制備薄膜晶體管溝道長度L選用相同線徑L的鎢絲，放置于刻蝕好的溝道層薄膜表面，兩端用膠帶輕微固定在載玻片上；在顯微鏡下調整，使寬度W的圖形與鎢絲垂直，調整后，將片子、膠帶壓實，固定在載玻片，再取鎢絲放置于溝道層被刻蝕掉圖形的正上方，兩端固定；

十、用蒸鍍、濺射或電子束蒸發(fā)等方法沉積電極，線徑為L鎢絲的掩模實現(xiàn)了溝道長度為L，溝道寬度為W的薄膜晶體管溝道區(qū)，鎢絲兩側的沉積，形成了源、漏電極，從而，完成了薄膜晶體管單一器件溝道層區(qū)域，源、漏電極的制作。