[發明專利]垂直腔面發射激光器列陣的串接結構

有效

• 申請號: 200810051624.0
• 申請日: 2008-12-22
• 公開（公告）號: CN101447647A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 史晶晶;王立軍;秦莉;劉云;寧永強
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S5/42
• 分類號: H01S5/42;H01S5/024
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所
• 代理人: 王立偉

1.一種新型的垂直腔面發射激光器列陣串接結構，其特征在于：該結構包括熱沉(1)、熱沉表面的金屬膜(2)、垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)、金屬條(4)、流入電極(51)、流出電極(52)及金絲引線(6)、每個垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)中包括M×M個發光單元(7)；

各部分的位置及連接關系：在熱沉(1)上的指定區域蒸鍍金屬膜(2)，垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)焊接在熱沉(1)上蒸鍍金屬膜(2)的區域內，再將金屬條(4)焊接在熱沉(1)上蒸鍍金屬膜(2)的區域，金絲引線(6)將垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)和金屬條(4)連接，電流通過流入電極(51)流入，通過金絲引線流入各個垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)，最后從流出電極(52)流出，垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)在金屬膜區域內排列方式是以N×N，N×N為垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)的個數，本發明中N為2-10的正整數。

2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器列陣串接結構，其特征在于：每個垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)包括M×M發光單元(7)，每個發光單元(7)包括襯底(8)、生長于襯底之上的下反射鏡(9)、生長于下反射鏡之上的有源層(10)、生長于有源層之上的上反射鏡(12)、上反射鏡外側的上電極(14)、襯底外側的下電極(13)，本發明中M為2-30的正整數。

3.根據權利要求1或2所述的垂直腔面發射激光器列陣串接結構，其特征在于所述的垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)中的發光單元(7)，其下反射鏡(9)是N型的分布式布拉格反射鏡或介質膜反射鏡，下反射鏡(9)由30至40對反射鏡組成，上反射鏡(12)是p型的分布式布拉格反射鏡或介質膜反射鏡，上反射鏡(12)由20至30對反射鏡組成。

4.根據權利要求1或2所述的垂直腔面發射激光器列陣串接結構，其特征在于垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)大小8-10mm×8-10mm，芯片總面積占金屬膜區域面積的75％左右，為了方便金絲引線，要求垂直腔面發射激光器列陣芯片(3)的高度與金屬條(4)的高度一致。