[發明專利]雙正斜角槽終端半導體分立器件可控硅及其制造方法

無效

• 申請號: 200810051398.6
• 申請日: 2008-11-10
• 公開（公告）號: CN101393929A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 邵長海;于雄飛;車振華
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種雙正斜角槽終端半導體分立器件可控硅，具有雙正斜角結構和PN-PN+四層三端結構，其特征在于，芯片為矩形，在芯片的四周終端有隔離區(1)，隔離區(1)與P區以及與N-區之間的界面(3)呈弧形；在芯片有N+區的端面四周分別有一條雙正斜角槽(2)，雙正斜角槽(2)的上端起始于隔離區(1)與上P區的分界處，雙正斜角槽(2)的下端終止于N-區，雙正斜角槽(2)與上P區下表面的夾角θ、以及雙正斜角槽(2)與所述弧形界面交點的切線的夾角β均為銳角。

2、根據權利要求1所述的半導體分立器件可控硅，其特征在于，雙正斜角槽(2)的深度h在100～400μm范圍內，寬度在20～100μm范圍內。

3、根據權利要求1所述的半導體分立器件可控硅，其特征在于，θ+β≤135°，其中θ＝60～85°，β＝50～75°。

4、一種雙正斜角槽終端半導體分立器件可控硅制造方法，其特征在于，在N型硅單晶片(4)上雙面擴散隔離區(1)，再雙面擴散P區，在隔離區(1)與P區、N-區之間形成弧形界面(3)；在上P區的上表面與隔離區(1)的分界處劃出雙正斜角槽(2)，深度h達到N-區，雙正斜角槽(2)與上P區下表面的夾角θ、以及雙正斜角槽(2)與所述弧形界面(3)交點的切線的夾角β均為銳角；沿隔離區(1)中線切割該N型硅單晶片(4)。

5、根據權利要求4所述的半導體分立器件可控硅制造方法，其特征在于，雙正斜角槽(2)深度h在100～400μm范圍內。

6、根據權利要求4所述的半導體分立器件可控硅制造方法，其特征在于，對雙正斜角槽(2)內表面進行硅腐蝕，腐蝕深度為15～20μm，得到光滑表面；采用電泳的方式將混合到電泳液中的玻璃粉淀積到雙正斜角槽(2)中，玻璃粉經高溫600～900℃燒結，形成玻璃鈍化層。

7、根據權利要求6所述的半導體分立器件可控硅制造方法，其特征在于，電泳液為異丙醇、甲醇、乙酸乙酯的混合液，玻璃粉為鋅系玻璃或者鉛系玻璃。