[發明專利]用高電導率空穴傳輸材料作為空穴傳輸層的有機電致發光器件

無效

• 申請號: 200810051244.7
• 申請日: 2008-10-07
• 公開（公告）號: CN101383400A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 馬東閣;喬現鋒;王鳳霞;熊濤
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春應用化學研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司
• 代理人: 馬守忠

1.用高電導率空穴傳輸材料作為空穴傳輸層的有機電致發光器件，其特征是其構成有：基板1、銦錫氧化物ITO陽極2、空穴注入傳輸層3、空穴傳輸層4、有機發光染料摻雜有機主體材料的發光層5、有機電子傳輸層6、氟化鋰界面緩沖層7和金屬鋁陰極8；它們依次連接；

所述的基板1是玻璃；

所述的陽極2是銦錫氧化物ITO；

所述的空穴注入傳輸層3是金屬氧化物摻雜有機主體的高電導率空穴傳輸材料；

所述的高電導率的空穴注入傳輸層3由金屬氧化物摻雜到有機主體材料中獲得的；所述的有機主體材料是4，4′，4＂-三-(N-(亞萘基-2-YL)-N-苯胺)三苯胺(簡稱2-TNATA)、4，4′，4＂-三(N-咔唑)三苯胺(簡稱TCTA)、1，3，5-三苯基苯(簡稱TDAPB)、4′4＂-三(N，N-雙苯基氨)-三苯胺(簡稱TDATA)、N，N′-雙(3-萘基)-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺(簡稱NPB)、N，N′—二苯基—[1，1′—聯苯基]—4，4′—二胺(簡稱TPD)、s-(4-氨基—2，2，6，6—四甲基哌啶)(簡稱s-TAD)和4.4′4＂-三(3-甲基-苯基苯胺)三苯胺(簡稱m-MTDATA)中的任何一種；

所述的金屬氧化物是五氧化二釩(V₂O₅)、三氧化鉬(MoO₃)和三氧化鎢(WO₃)中的任何一種；所述的金屬氧化物摻雜到有機主體材料中的摻雜濃度按重量比控制在1％到50％之間；其厚度為5-100納米；

所述的有機發光染料摻雜有機主體材料的有機發光層5是10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-(1)-苯并呲喃酮基-(6，7，8-ij)喹嗪-11-酮(簡稱C545T)摻雜8-羥基喹啉鋁(簡稱Alq₃)；

所述的有機電子傳輸層6是Alq₃；

所述的界面緩沖層7是氟化鋰(LiF)；

所述的陰極8是鋁。

2.如權利要求1所述的用高電導率空穴傳輸材料作為空穴傳輸層的有機電致發光器件，其特征是摻雜的空穴傳輸層的金屬氧化物摻雜到有機主體材料中的摻雜濃度按重量比控制在1％到50％之間。

3.如權利要求1所述的用高電導率空穴傳輸材料作為空穴傳輸層的有機電致發光器件，其特征是摻雜的空穴注入層直接蒸鍍在陽極上。

4.如權利要求1所述的用高電導率空穴傳輸材料作為空穴傳輸層的有機電致發光器件，其特征是摻雜的空穴傳輸層的厚度在5納米至100納米范圍之內。