[發明專利]一種半導體激光器腔面鈍化方法

無效

• 申請號: 200810050920.9
• 申請日: 2008-07-04
• 公開（公告）號: CN101394062A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 喬忠良;薄報學;高欣;胡源;么艷萍;王玉霞;劉春玲;李輝;盧鵬;曲軼;馬建立
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;C23C14/02;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體激光器腔面鈍化的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)半導體激光器在空氣中解理成條后，裝入鍍膜專用夾具，然后放入電子束蒸發真空室或磁控濺射真空室；

(2)氫離子預清洗，即在電子束蒸發真空室內或磁控濺射真空室內分別用不小于105ev或不小于50瓦的氫等離子體轟擊解理的腔面，除去解理腔面上的氧化物和雜質及其形成的表面態和界面態這些非輻射復合中心的同時，氫離子會與解理腔面的表面一定尺度內的電負性最大的元素反應，生成電負性大的元素的氫化物，氫化物從解理的腔面溢出，導致腔面處呈現帶有正電荷的陽離子特征；在半導體激光器前腔面(4)進行所述的氫離子預清洗時間為50秒到10分鐘；

(3)氮離子反應清洗，即在上述電子束蒸發真空室內或磁控濺射真空室內關閉氫源，開通氮源，分別用不小于105ev或不小于50瓦的氮等離子體轟擊解理腔面，使電負性較大的氮離子與激光器的解理腔面由氫離子轟擊導致呈現陽離子特征的材料元素結合，生成一定薄層由腔內到腔外一定尺度含氮量漸變的含氮層，氮離子反應清洗時間為2分鐘到20分鐘，所述反應清洗時間視所需含氮漸變層厚度而定；

(4)在前腔面(4)用電子束蒸發的方式蒸鍍或磁控濺射的方式濺射AlN寬禁帶低吸收材料作為鈍化阻擋層(3)，防止解理腔面外氧等物質向腔面內的擴散；

(5)在前腔面(4)鍍增透膜(1)；

(6)夾具翻面后對后腔面(5)進行工藝處理，即在所述后腔面(5)進行上述步驟(2)和(3)；

(7)氮氣氛圍下，在后腔面(5)用電子束蒸發的方式蒸鍍或磁控濺射的方式濺射AlN寬禁帶低吸收材料作為鈍化阻擋層(3)；

(8)在后腔面(5)鍍高反膜(2)。