[發(fā)明專利]基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810049158.2
• 申請日: 2008-01-28
• 公開（公告）號: CN101221130A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李新建;馮飛
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州大學
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 鄭州天陽專利事務(wù)所
• 代理人: 聶孟民;宋金鼎

1.一種基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底的制備方法，包括以下技術(shù)步聚：將電阻率小于5.0Ω·cm的P型單晶硅片置入高壓釜，填充由濃度介于0.50～26.00mol/l的氫氟酸(HF)和0.001～2.50mol/l的硝酸鐵(Fe(NO₃)₃)溶液組成的腐蝕液，高壓釜的溶液體積填充度為40～95％，在溫度10～200℃下腐蝕1分鐘～100小時，經(jīng)過上述水熱方法處理后即可制備出活性基底所需的襯底材料硅納米孔柱陣列(Si-NPA)；其特征在于：將放置時間為0～240小時的Si-NPA置入0.0001～5.0mol/l的金屬鹽溶液中浸漬1秒～36小時后取出晾干即為基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底；通過滴定或浸泡方法引入待測物質(zhì)即可運用激光拉曼光譜儀對活性基底進行檢測并獲得待測物質(zhì)的表面增強拉曼散射光譜。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底的制備方法，其特征在于：浸漬過程可直接實施浸漬或氣氛保護下浸漬，浸漬完成后取出，在室溫下空氣或保護氣氛下自然晾干或吹干備用。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底的制備方法，其特征在于：浸漬時使用的金屬鹽溶液為含有Ag⁺、Au³⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Pt⁺、或Pd²⁺金屬離子的金屬鹽溶液。

4.如權(quán)利要求3所述的一種基于硅納米孔柱陣列的表面增強拉曼散射活性基底的制備方法，其特征在于：當采用氣氛保護下浸漬時，往浸漬液中通入的保護氣體為氧氣、氮氣、氬氣、氫氣或其他惰性氣體。