[發明專利]消除納米電化學傳感器鈍化的溶液及用其消除鈍化的方法無效
| 申請號: | 200810048906.5 | 申請日: | 2008-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN101408524A | 公開(公告)日: | 2009-04-15 |
| 發明(設計)人: | 胡勝水;胡成國 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | G01N27/26 | 分類號: | G01N27/26 |
| 代理公司: | 武漢華旭知識產權事務所 | 代理人: | 劉 榮 |
| 地址: | 43007*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 消除 納米 電化學傳感器 鈍化 溶液 方法 | ||
1.一種消除納米電化學傳感器鈍化的溶液,其特征在于:該溶液為包括水溶性單鏈和雙鏈的陽離子、陰離子或中性表面活性劑的支持電解質溶液。
2.根據權利要求1所述消除納米電化學傳感器鈍化的溶液,其特征在于:水溶性單鏈和雙鏈的陽離子、陰離子或中性表面活性劑為十二烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十四烷基溴化吡啶、十六烷基三甲基溴化銨、十六烷基溴化吡啶、十八烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉、十二烷基苯磺酸納或Triton?X-100。
3.一種消除納米電化學傳感器鈍化的方法,其特征在于:使用包括水溶性單鏈和雙鏈的陽離子、陰離子或中性表面活性劑的支持電解質溶液消除納米電化學傳感器鈍化。
4.根據權利要求3所述消除納米電化學傳感器鈍化的方法,其特征在于:將水溶性單鏈和雙鏈的陽離子、陰離子或中性表面活性劑加入到支持電解質溶液中,表面活性物質在修飾于電化學傳感器電極表面的納米敏感材料上的可逆性吸附原位形成動態保護層,實現消除納米電化學傳感器鈍化。
5.根據權利要求3或4所述消除納米電化學傳感器鈍化的方法,其特征在于:所用水溶性單鏈和雙鏈的陽離子、陰離子或中性表面活性劑為十二烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十四烷基溴化吡啶、十六烷基三甲基溴化銨、十六烷基溴化吡啶、十八烷基三甲基溴化銨、十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉、十二烷基苯磺酸納或Triton?X-100。
6.根據權利要求4所述消除納米電化學傳感器鈍化的方法,其特征在于:納米電化學傳感器的納米敏感材料為碳納米材料。
7.根據權利要求6所述消除納米電化學傳感器鈍化的方法,其特征在于:所用碳納米材料為單壁碳納米管、多壁碳納米管或納米碳纖維。
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