[發明專利]倒裝焊發光二極管硅基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200810048739.4
• 申請日: 2008-08-08
• 公開（公告）號: CN101388429A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 鄭如定;鮑堅仁
• 申請（專利權）人: 武漢華燦光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝焊發光二極管硅基板，其特征在于：在N型硅基板的P型摻雜區布置圍墻下金屬層及凸點下金屬層，圍墻下金屬層與凸點下金屬層之間電不導通，并在N型硅基板背面沉淀金屬，形成N型硅基板背面金屬層。

2、如權利要求1所述的倒裝焊發光二極管硅基板，其特征在于：在N型硅基板的背面金屬層表面，沉淀有背面金屬電鍍層。

3、一種倒裝焊發光二極管硅基板制造方法，其特征在于：在N型硅基板(19)的P型摻雜區布置圍墻下金屬層(8)及凸點下金屬層(18)，并在N型硅基板(19)背面沉淀金屬，形成N型硅基板背面金屬層(20)；通過N型硅基板背面金屬層(20)導電，先在N型硅基板(19)上電鍍圍墻第一電鍍層(22)，然后再同時電鍍圍墻第二電鍍層(26)和P凸點區域及N凸點區域內的凸點電鍍層(24)。

4、根據權利要求3所述的倒裝焊發光二極管硅基板制造方法，其特征在于：

分步電鍍的步驟為：

第一步：在N型硅基板(19)的待電鍍區一側，沉淀第一絕緣層(14)以覆蓋整個平面區域，并刻蝕掉第一絕緣層(14)中覆蓋圍墻下金屬層(8)部分和覆蓋凸點下金屬層(18)部分；在第一絕緣層(14)的基礎上沉淀第二絕緣層(21)，其覆蓋面積同刻蝕前的第一絕緣層(14)，并刻蝕掉第二絕緣層(21)中覆蓋圍墻下金屬層(8)部分；在N型硅基板(19)的另一側，蒸鍍背面金屬層(20)；

第二步：在N型硅基板(19)的背面金屬層(20)上接入電鍍恒流源負極，并確保圍墻下金屬層(8)與電鍍液接觸，通入電流，電鍍形成圍墻第一電鍍層(22)；

第三步：刻蝕掉第二絕緣層(21)中覆蓋凸點下金屬層(18)部分，在N型硅基板(19)的背面金屬層(20)上接入電鍍恒流源負極，并確保第一電鍍層(22)及凸點下金屬層(18)與電鍍液接觸，通入電流，電鍍形成圍墻第二電鍍層(26)、P凸點區域(10)和N凸點區域(12)中的凸點電鍍層(24)。

5、根據權利要求3或4所述的倒裝焊發光二極管硅基板制造方法，其特征在于：N型硅基板(19)背面通過蒸鍍得到背面金屬層(20)。

6、根據權利要求3或4所述的倒裝焊發光二極管硅基板制造方法，其特征在于：在鍍圍墻第一電鍍層(22)時，N型硅基板(19)的背面金屬層(20)與電鍍溶液隔離，在鍍圍墻第二電鍍層(26)時，N型硅基板背面金屬層(20)與電鍍溶液接觸，在N型硅基板背面金屬層(20)的表面沉淀背面金屬電鍍層(25)。