[發明專利]具有不同排列方式的異質結構介電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 200810048174.X
• 申請日: 2008-06-25
• 公開（公告）號: CN101312079A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 周靜;陳文;朱杰;朱泉峣;孫華君;徐慶;雷瓊;沈杰
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: H01B3/12
• 分類號: H01B3/12;H01B3/10;C04B35/03;C04B35/465;C04B35/495;C04B35/622;B32B9/00;B32B7/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 張安國

1.一種異質結構介電薄膜，其特征是，該介電薄膜由CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層與 CaTiO₃膜層按不同排列方式堆垛構成，薄膜厚度為100nm～2μm，排列方式為非 周期性重復排列或者周期單元周期性重復排列，所述的CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層與 CaTiO₃膜層的層數比為2∶1。

2.如權利要求1所述的一種異質結構介電薄膜，其特征是，所述的非周期性 重復排列異質結構介電薄膜是：CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層上加CaTiO₃膜層；或者， CaTiO₃膜層上加CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層。

3.如權利要求1所述的一種異質結構介電薄膜，其特征是，所述的周期單元 周期性重復排列異質結構介電薄膜是：兩層CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層上加一層CaTiO₃膜層，并以這三層膜為周期單元重復至所需厚度構成的異質結構介電薄膜；或者 是，一層CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層上，加一層CaTiO₃膜層，再加一層CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層，并以這三層膜為周期單元重復至所需厚度構成的異質結構介電薄膜；或者 是，一層CaTiO₃膜層上，加兩層CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜層，并以這三層膜為周期單元 重復至所需厚度構成的異質結構介電薄膜。

4.權利要求1所述的異質結構介電薄膜的制備方法，其特征是，在 Pt/Ti/SiO₂/Si基板上，采用液相旋涂技術先將一種膜層的前驅體液涂敷于旋轉的 潔凈基板上，120℃干燥處理，隨后在700℃下進行結晶化處理3～5分鐘，根據 排列方式的需要，再涂覆同種膜層或另一種膜層前驅體溶液，120℃干燥處理， 隨后在700℃下進行結晶化處理3～5分鐘，根據涂敷次數比和排列要求重復以上 操作多次后，最后在700℃進行0.5小時熱處理，即獲得具有異質結構的介電薄 膜。