[發(fā)明專利]一種含Nb復(fù)合金屬氧化物介電陶瓷薄膜及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810048101.0
• 申請(qǐng)日: 2008-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN101293770A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳文;周靜;朱杰;沈杰;雷瓊;朱泉峣;孫華君;徐慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C04B35/495
• 分類號(hào): C04B35/495;C04B35/465;H01L41/187
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 張安國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及含Nb復(fù)合金屬氧化物介電陶瓷薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)

微波介電器件具有輸出功率大、適合于微波高頻段等優(yōu)點(diǎn)，已成為下一代微波器件的主要發(fā)展方向之一，是國內(nèi)外研究的一個(gè)熱點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)微波器件及電路的小型化、集成化，人們也開始考慮薄膜化介電頻率器件。Toshio?Nishikawa等人的實(shí)驗(yàn)研究證明多層結(jié)構(gòu)介電薄膜比相應(yīng)的塊體材料具有更低的插損、更高的品質(zhì)因子。因此，介電材料的薄膜化，可以滿足單片微波集成電路(MMIC)小型化的需要，對(duì)實(shí)現(xiàn)微波器件的集成化和高品質(zhì)化具有重要的實(shí)際意義和實(shí)用價(jià)值。

目前，微波領(lǐng)域用的薄膜材料的研究，大多還局限于可調(diào)介電常數(shù)鐵電陶瓷體系，對(duì)微波介電陶瓷材料體系的薄膜化研究在國內(nèi)外開展的還不多。這主要是由于制備工藝的限制。

薄膜制備方法通常有濺射法、脈沖激光沉積法、氣相沉積法、金屬有機(jī)化合物熱分解法等，以上方法需要昂貴的真空設(shè)備，并且不易控制薄膜組分。液相法快速簡單，具有以上真空沉積法所沒有的優(yōu)點(diǎn)，且組分容易控制，制膜均勻性好、易于大面積成膜，而該工藝的難點(diǎn)與關(guān)鍵是前驅(qū)體溶液的制備。

Nb元素由于具有提高Q值和改善頻率溫度穩(wěn)定性的特性，或作為體系組成之一(如鈮鉭酸鹽介質(zhì)陶瓷、Nb-B位取代復(fù)合鈣鈦礦陶瓷)或作為添加劑(如Nb₂O₅改性BT4/B2T9)在微波介質(zhì)陶瓷中被廣泛應(yīng)用。含Nb的復(fù)合氧化物介質(zhì)陶瓷，在介質(zhì)陶瓷中占了很大一部分。然而，長久以來，濕化學(xué)方法制備中對(duì)Nb的引入是以NbCl₅作為原料的，該化合物國內(nèi)尚未商品化，且化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定難以實(shí)驗(yàn)室制備。因此含Nb元素的薄膜前驅(qū)液的制備，成為了含Nb介電材料薄膜化的瓶頸，也從一定程度上限制了微波薄膜器件的發(fā)展。

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發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種新類別的含Nb復(fù)合金屬氧化物介電陶瓷薄膜。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種所述含Nb復(fù)合金屬氧化物介電陶瓷薄膜的制備方法。該制備方法簡便，厚度與成分可控。