[發明專利]高壓晶閘管及其生產工藝

有效

• 申請號: 200810047773.X
• 申請日: 2008-05-13
• 公開（公告）號: CN101582380A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 楊景仁
• 申請（專利權）人: 楊景仁
• 主分類號: H01L21/332
• 分類號: H01L21/332;H01L29/74
• 代理公司: 襄樊中天信誠知識產權事務所
• 代理人: 何靜月

1.一種高壓晶閘管，其特征在于：高壓晶閘管為以下工序所制成的產品，工 序包括：①在N型硅片上，一次或兩次擴散P型雜質，形成結深淺，濃度低的相 同的P₁區和P₂區，P₁區和P₂區表面濃度測試參數：測試電壓10～15mv，測試 電流1mA，結深90～100μm；②在P₁區表面涂P型雜質源再擴散，形成結深較 淺、濃度較低的P₂區和結深深、濃度高的P₁區，P₂表面濃度測試參數：測試電 壓8～10mv，測試電流1mA，結深110～130μm；P₁表面濃度測試參數：測試電 壓0.1～3mv，測試電流1mA，結深120～145μm；③在P₂區擴散N型雜質，形成 N₂層，N₂表面濃度測試參數：測試電壓0.08～0.11mv，測試電流1mA，結深15～ 22μm；④在P₁和N₂表面制造歐姆接觸層形成電極。

2.一種權利要求1所述的高壓晶閘管的制造方法，其特征在于：包括以下 工序①在N型硅片上，一次或兩次擴散P型雜質，形成結深淺，。濃度低的相同 的P₁區和P₂區，P₁區和P₂區表面濃度測試參數：測試電壓10～15mv，測試電 流1mA，結深90～100μm；②在P₁區表面涂P型雜質源再擴散，形成結深較淺、 濃度較低的P₂區和結深深、濃度高的P₁區，P₂表面濃度測試參數：測試電壓8～ 10mv，測試電流1mA，結深110～130μm；P₁表面濃度測試參數：測試電壓0.1～ 3mv，測試電流1mA，結深120～145μm；③在P₂區擴散N型雜質，形成N₂層， N₂表面濃度測試參數：測試電壓0.08～0.11mv，測試電流1mA，結深15～22μ m；④在P₁和N₂表面制造歐姆接觸層形成電極。

3.根據權利要求2所述高壓晶閘管的制造方法，其特征在于：工序①中， 在N型硅片上擴散的P型雜質為鎵鋁。

4.根據權利要求2所述高壓晶閘管的制造方法，其特征在于：工序②中， 在P₁區表面涂并再擴散的P型雜質為硼。

5.根據權利要求2所述高壓晶閘管的制造方法，其特征在于：工序③中在 P₂區擴散N型雜質為磷。